| 发明名称 | 制造半导体器件的方法以及利用该方法获得的半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于制造具有双栅场效应晶体管的半导体器件(10)的方法，在所述方法中，半导体材料的半导体主体(1)被设置在半导体器件的表面，所述半导体主体包括：具有第一导电型的源极区(2)和漏极区(3)；位于源极区(2)与漏极区(3)之间、具有与第一导电型相反的第二导电型的沟道区(4)；通过沟道区(4)上的第一栅极电介质(6)与半导体主体表面隔开的第一栅极区(5)；位于第一栅极区(5)对面、在半导体主体(1)的相对表面的凹槽(20)内形成的第二栅极区(7)，第二栅极区(7)通过第二栅极电介质(8)与沟道区(4)隔开，其中通过沟道区(4)掺杂的局部变化(9)以及执行从半导体主体(1)的相对表面开始的蚀刻步骤来形成凹槽(20)。 | ||
| 申请公布号 | CN101019216A | 申请公布日期 | 2007.08.15 |
| 申请号 | CN200580029431.X | 申请日期 | 2005.08.10 |
| 申请人 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 发明人 | 拉杜·苏尔代亚努;埃尔温·海曾;迈克尔·A·A·因赞特;雷蒙德·J·E·许廷 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L29/786(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 朱进桂 |
| 主权项 | 1.一种用于制造具有双栅场效应晶体管的半导体器件(10)的方法，在所述方法中，半导体材料的半导体主体(1)被设置在半导体器件的表面，所述半导体主体包括：具有第一导电型的源极区(2)和漏极区(3)；位于源极区(2)与漏极区(3)之间、具有与第一导电型相反的第二导电型的沟道区(4)；通过沟道区(4)上的第一栅极电介质(6)与半导体主体表面隔开的第一栅极区(5)；位于第一栅极区(5)对面、在半导体主体(1)的相对表面的凹槽(20)内形成的第二栅极区(7)，第二栅极区(7)通过第二栅极电介质(8)与沟道区(4)隔开，其中通过沟道区(4)掺杂的局部变化(9)以及执行从半导体主体(1)的相对表面开始的蚀刻步骤来形成凹槽(20)，所述方法的特征在于：在接近半导体主体(1)的表面处提供沟道区(4)掺杂的局部变化(9)，利用针对半导体主体(1)材料的蚀刻剂对沟道区(4)中的半导体主体(1)进行蚀刻，而且沟道区(4)掺杂的局部变化(9)用作蚀刻停止区。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||