发明名称 |
激光照射台、激光照射装置以及制造半导体装置的方法 |
摘要 |
当激光振荡器的输出变得更高,发展用于半导体膜激光退火工艺的更长的线形光束变成必要的。然而,如果线形光束的长度是300-1000mm或更长,那么用于形成线形光束的光学系统的光路长度变得非常长,从而增加了其占地面积尺寸。本发明缩短了光路长度。为了使光学系统的光路长度尽可能地短,并只增加线形光束的长度,可以在线形光束纵向上给半导体膜曲率。 |
申请公布号 |
CN1332236C |
申请公布日期 |
2007.08.15 |
申请号 |
CN200410054974.4 |
申请日期 |
2002.06.14 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
田中幸一郎 |
分类号 |
G02B27/10(2006.01);H01L21/324(2006.01);H01L27/12(2006.01) |
主分类号 |
G02B27/10(2006.01) |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
王岳;梁永 |
主权项 |
1.一种激光照射台,包括:一个表面,在其上放置有被线形光束照射的物体,其中,所述表面给沿所述线形光束的纵向方向被所述线形光束照射的所述物体提供柱面形曲率或凹柱面形曲率。 |
地址 |
日本神奈川县厚木市 |