一种静电放电防护电路

摘要

本发明涉及一种利用多晶硅版图层次构造静电电流泄放通道的静电放电防护电路。目前多采用可控硅SCR达成保护芯片抵御静电袭击的目的，但是结构比较复杂，加工难度较大，同时该可控硅SCR触发点电压值不能够灵活地调整。本发明的静电放电防护电路包括P型衬底，P型衬底上设置P阱，P阱上设置有SiO₂氧化层，SiO₂氧化层上设置有多晶硅层，多晶硅层的一边掺入P型杂质形成P+多晶硅注入区，另一边掺入N型杂质形成N+多晶硅注入区，中间为本征多晶硅区。本发明结构相对简单，并且触发点电压值可以通过改变本征多晶硅的长度来实现。

主权项

1、一种静电放电防护电路，包括P型衬底(31)，其特征在于P型衬底(31)上设置P阱(32)，P阱(32)上设置有SiO2氧化层(36)，SiO2氧化层(36)上设置有多晶硅层，多晶硅层的一边掺入P型杂质形成P+多晶硅注入区(33)，另一边掺入N型杂质形成N+多晶硅注入区(35)，中间为本征多晶硅区(34)。