| 发明名称 | 有机硅烷化合物及其制备方法和使用该化合物的有机薄膜 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种具有优良的抗剥落性的高度有序的结晶导电性有机薄膜，一种制备所述薄膜的化合物，以及该化合物的制备方法。所述化合物是一种有机硅烷化合物，其通过用甲硅烷基对式(I)所表示的分子进行取代而制得。所述制备有机硅烷化合物的方法包括对分子(I)进行卤化，使卤化后的分子与硅烷衍生物反应。所述有机薄膜包含所述有机硅烷化合物，这些有机硅烷化合物在基材上排列，使得甲硅烷基位于基材侧，分子(I)部分位于膜表面侧。式中x1和x2满足以下条件：1≤x1，1≤x2，且2≤x1+x2≤8；y1和z1各自独立地为2－8的整数；y2和z2各自独立地为0－8的整数；该骨架可以被疏水基取代。 | ||
| 申请公布号 | CN101018792A | 申请公布日期 | 2007.08.15 |
| 申请号 | CN200580028588.0 | 申请日期 | 2005.08.17 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 今田裕士;花户宏之;田村寿宏 |
| 分类号 | C07F7/12(2006.01);C07F7/18(2006.01);H01L51/05(2006.01);H01L21/368(2006.01);H01L29/786(2006.01);H01B1/12(2006.01) | 主分类号 | C07F7/12(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 沙永生 |
| 主权项 | 1.一种有机硅烷化合物，其特征是，通式(I)表示的稠合的多环芳烃分子被通式-SiR<sup>1</sup>R<sup>2</sup>R<sup>3</sup>所表示的甲硅烷基取代，式中R<sup>1</sup>至R<sup>3</sup>各自独立地表示卤原子或者包含1-4个碳原子的烷氧基：[式1]<img file="A2005800285880002C1.GIF" wi="543" he="484" />(I)式中x1和x2分别是满足以下条件的整数：1≤x1，1≤x2，且2≤x1+x2≤8；y1和z1各自独立地为2-8的整数；y2和z2各自独立地为0-8的整数；该分子可以被疏水基取代。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||