双极型集成电路互连结构及其制造方法

摘要

本发明提供一种双极型集成电路互连结构，至少包括下层材料，依次生长在下层材料上的隔离介质层，氮化硅，低温氧化物以及光刻胶，光刻胶中间设有接触孔；其中，氮化硅和低温氧化物的中间设有牺牲层。本发明还提供所述双极型集成电路互连结构的制造方法。与现有技术相比，互连结构中的牺牲层对克服钻蚀现象具有显著的作用，在接触孔的刻蚀中可获得理想的接触孔结构，有助于后序的阻挡层淀积以及金属淀积，有效提高产品的成品率。此外，本发明利用碳氟类气体刻蚀牺牲层，然后利用含氟类气体对氮化硅上的牺牲层进行刻蚀，这样确保每一层介质刻蚀的均匀性，也减小了对下层材料的侵蚀。

主权项

1、一种双极型集成电路互连结构，至少包括下层材料，依次生长在下层材料上的隔离介质层，氮化硅，低温氧化物以及光刻胶，光刻胶中间形成有接触孔；其特征在于：氮化硅和低温氧化物的中间设有牺牲层。