金属硅化物形成方法及半导体器件的制造方法

摘要

本发明公开了一种在包含硅的半导体区上形成金属硅化物层的金属硅化物形成方法。该方法步骤包括：在该半导体区上形成包含第一金属的第一金属层；在该半导体区上形成包含第二金属的第二金属层以覆盖在该形成第一金属层步骤中形成的该第一金属层；并通过对其中在形成第二金属层步骤中形成第二金属层以覆盖第一金属层的半导体区进行热处理，使该半导体区与该第一金属层和该第二金属层中至少之一产生硅化，形成该金属硅化物层。在第一温度下硅化该第一金属层。在比第一温度低的第二温度下形成该第二金属层。

主权项

1、一种在包含硅的半导体区上形成金属硅化物层的金属硅化物形成方法，所述方法包括步骤：在所述半导体区上形成包含第一金属的第一金属层；在所述半导体区上形成包含第二金属的第二金属层以覆盖在所述形成第一金属层步骤中形成的所述第一金属层；以及通过对其中所述形成第二金属层步骤中形成第二金属层以覆盖所述第一金属层的半导体区进行热处理，使所述半导体区与所述第一金属层和所述第二金属层中至少之一产生硅化，形成所述金属硅化物层，其中在所述形成第一金属层步骤中，所述第一金属层在允许所述半导体区与所述第一金属产生硅化的第一温度下形成，以及在所述形成第二金属层步骤中，所述第二金属层在低于所述第一温度的第二温度下形成。