发明名称 |
脉冲磁场作用下制备化学掺杂的MgB<SUB>2</SUB>系超导材料的方法 |
摘要 |
本发明涉及一种脉冲磁场作用下制备化学掺杂的MgB<SUB>2</SUB>系超导材料的制备方法。本发明方法是采用高纯度的Mg粉和B粉做原料,按规定的化学计量比配料,即Mg∶B=0.7∶2.0~1.3∶2.0;再按不超过Mg和B粉料总重量的15%加入掺杂物质,在套管法的基础上运用脉冲频率为0.03~0.10赫兹,磁场强度为1~100T(特斯拉);升温速度为3~30℃/分钟;升温至反应温度600~1000℃后保温10-300分钟;然后将样品随炉冷却,取出样品MgB<SUB>2</SUB>,即为化学掺杂的MgB<SUB>2</SUB>系超导材料。本发明方法可以制得晶粒细小、晶向排列一致、晶界面积大、晶界间杂质少,结构致密以及超导电性临界电流密度高的低温超导材料。 |
申请公布号 |
CN101016158A |
申请公布日期 |
2007.08.15 |
申请号 |
CN200510111919.9 |
申请日期 |
2005.12.23 |
申请人 |
上海大学 |
发明人 |
朱明原;李瑛;李文献;金红明;任钟鸣;李喜;窦士学 |
分类号 |
C01B35/04(2006.01);H01B12/00(2006.01) |
主分类号 |
C01B35/04(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
1.一种脉冲磁场作用下制备化学掺杂的MgB2系超导材料的方法,其特征在于该方法具有以下的工艺过程和步骤:a.按照化学计量比Mg∶B=0.7∶2.0~1.3∶2.0,分别称取经干燥处理的Mg和B粉料,再按不超过Mg和B粉料总重量的0.1-15%的加入掺杂物质,所述的掺杂物质为:碳粉、碳纳米管、碳化硅粉、过渡族金属、稀土金属中的任一种或两种以上的混合物;b、将上述的配料进行均匀研磨后,封入一端封闭的低碳钢管内,并将配料压实致密后将另一端封闭;c、将上述的低碳钢管放置于加热管内,并在惰性气氛下,将加热管进行加热,同时启动脉冲磁场,其脉冲频率为0.03~0.10赫兹,磁场强度为1~100特斯拉;升温速度为3~30℃/分钟;升温至反应温度600~1000℃后保温10-300分钟;然后将样品随炉冷却,取出样品MgB2,即为化学掺杂的MgB2系超导材料。 |
地址 |
200444上海市宝山区上大路99号 |