发明名称 |
具有垂直凸出物的浮栅结构 |
摘要 |
本发明揭示浮栅结构(230),其具有一远离衬底表面延伸的凸出物。此凸出物(232,234)可为浮栅提供用于耦合浮栅与控制栅的增加的表面积。在一个实施例中,字线在浮栅的每一侧上向下延伸以屏蔽同一串中的各相邻浮栅。在另一实施例中,揭示一种用于制作具有凸出物的浮栅的方法。该凸出物可形成为自对准于浮栅的其余部分。 |
申请公布号 |
CN101019215A |
申请公布日期 |
2007.08.15 |
申请号 |
CN200480020878.6 |
申请日期 |
2004.06.09 |
申请人 |
桑迪士克股份有限公司 |
发明人 |
杰弗里·卢策;图安·法姆;亨利·钱;乔治·玛塔米斯 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01);H01L21/8247(2006.01);H01L27/115(2006.01);H01L29/423(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01) |
代理机构 |
北京律盟知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
刘国伟 |
主权项 |
1、一种在一半导体衬底表面上制作一非易失性存储单元阵列的方法,其包括:在所述衬底表面上形成一第一浮栅部分阵列,在所述第一浮栅部分阵列与所述衬底表面之间具有一栅极介电层,在所述衬底的未被第一浮栅部分覆盖的区域上形成一掩膜层,以使所述掩膜层中的一开孔图案自对准于所述第一浮栅部分,在第一浮栅部分上在所述掩膜层中的所述开孔中形成侧壁元件,形成在至少一个方向上由所述侧壁元件界定并接触所述第一浮栅部分的第二浮栅部分。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |