发明名称 Insulated channel field effect transistor with an electric field terminal region
摘要
申请公布号 EP1624486(B1) 申请公布日期 2007.08.15
申请号 EP20050023953 申请日期 1999.09.16
申请人 INTEL CORPORATION 发明人 KESHAVARZI, ALI;NARENDRA, SIVA G.;DE, VIVEK K.
分类号 H01L27/01;H01L27/12;H01L29/76;H01L29/786;H01L29/788;H01L31/0392 主分类号 H01L27/01
代理机构 代理人
主权项
地址