| 发明名称 | 二氧化硅玻璃坩埚 | ||
| 摘要 | 为了提供一种二氧化硅玻璃坩埚，其中当在高温下使用所述坩埚来拉制硅单晶时不存在出现凹陷和皱缩的问题。用来拉制硅单晶的二氧化硅玻璃坩埚，其中坩埚壁部分的至少一个外表面上布有长度小于200μm、宽度小于30μm和深度从大于3μm到小于30μm的细槽。优选地，所述细槽通过喷砂处理和氢氟酸蚀刻形成，并分布于该坩埚的10％以上的外表面上，坩埚的外表面在1500℃下对碳的滑动摩擦系数大于0.6。 | ||
| 申请公布号 | CN1332071C | 申请公布日期 | 2007.08.15 |
| 申请号 | CN200410033056.3 | 申请日期 | 2004.03.26 |
| 申请人 | 日本超精石英株式会社 | 发明人 | 十路义行;十路元俊夫 |
| 分类号 | C30B15/10(2006.01) | 主分类号 | C30B15/10(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 张元忠;段晓玲 |
| 主权项 | 1.一种用来拉制硅单晶的二氧化硅玻璃坩埚，其中坩埚壁部分的至少一个外表面上布有长度小于200μm、宽度小于30μm和深度从大于3μm到小于30μm的细槽。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||