| 发明名称 |
METHOD OF FABRICATING A HIGH POWER RF FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH REDUCED HOT ELECTRON INJECTION AND RESULTING STRUCTURE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP1142012(A4) |
申请公布日期 |
2007.08.15 |
| 申请号 |
EP19990942284 |
申请日期 |
1999.08.17 |
| 申请人 |
CREE MICROWAVE, LLC |
发明人 |
HEBERT, FRANCOIS;NG, SZEHIM DANIEL |
| 分类号 |
H01L21/336;H01L21/74;H01L29/10;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/74 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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