| 发明名称 | 等离子体化学气相沉积装置及等离子体表面处理方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种等离子体化学气相沉积装置和一种等离子体表面处理方法。基片(1)安置在腔室(10)中的阳极(11a)的安置面上。在面对阳极(11a)的阴极(13)中形成流动通路(13a)，冷却水通过那里循环。在阳极(11a)和阴极(13)间施加电压，通过等离子体在基片(1)上形成碳纳米壁层，然后用冷却构件(12)冷却阳极(11a)，将基片(1)快速冷却到预定温度。 | ||
| 申请公布号 | CN101016624A | 申请公布日期 | 2007.08.15 |
| 申请号 | CN200610146366.5 | 申请日期 | 2006.09.29 |
| 申请人 | 日本财团法人高知县产业振兴中心;卡西欧计算机株式会社 | 发明人 | 西村一仁;笹冈秀纪 |
| 分类号 | C23C16/513(2006.01);C23C16/52(2006.01);C23C16/26(2006.01);C23C16/27(2006.01) | 主分类号 | C23C16/513(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 刘兴鹏;邵伟 |
| 主权项 | 1、一种等离子体化学气相沉积装置，其包括：具有安置面的安置台，加工对象安置在安置面上，以及第一电极；第二电极，其面对所述第一电极，用于在其自身和所述第一电极之间产生等离子体；电压设定部件，其在所述第一电极和所述第二电极之间施加电压；冷却构件，其从所述加工对象带走热量。 | ||
| 地址 | 日本高知县 | ||