发明名称 |
介电薄膜BaTiO<SUB>3</SUB>掺杂金属离子的制备方法及装置 |
摘要 |
本发明属于电子工程技术领域,是一种介电薄膜BaTiO<SUB>3</SUB>掺杂金属离子的制备方法及装置。方法是用碱性介质Ba(OH)<SUB>2</SUB>电解质溶液,同时添加含量为5~15g/L含有WO<SUB>4</SUB><SUP>2-</SUP>,Mo<SUB>7</SUB>O<SUB>24</SUB><SUP>2-</SUP>、SnO<SUB>3</SUB><SUP>2-</SUP>酸根离子的盐,进行微等离子体氧化处理,在阳极表面形成(Ba,Ca)TiO<SUB>3</SUB>、(Ba,W)TiO<SUB>3</SUB>、(Ba,Sn)TiO<SUB>3</SUB>膜层。设备由脉冲电源、负极、正极、电解液、阳极电极、阴极电极、氧化处理槽组成,本发明的有益效果是,该方法及装置简单,直接在钛金属表面生长一层膜较厚的薄膜与基体的结合力良好,实现技术离子的掺杂,形成(Ba,X)TiO<SUB>3</SUB>薄膜,改变BaTiO<SUB>3</SUB>薄膜的介电性能,有良好的应用前景。 |
申请公布号 |
CN101016643A |
申请公布日期 |
2007.08.15 |
申请号 |
CN200610155879.2 |
申请日期 |
2006.12.29 |
申请人 |
大连海事大学 |
发明人 |
高玉周;张会臣;王亮;许晓磊;于志伟;刘世永 |
分类号 |
C25D11/26(2006.01) |
主分类号 |
C25D11/26(2006.01) |
代理机构 |
大连八方知识产权代理有限公司 |
代理人 |
卫茂才 |
主权项 |
1、介电薄膜BaTiO3掺杂金属离子的制备方法,其特征在于,该方法的步骤是:(一)、配制电解质溶液:电解质溶液配制方法:在微等离子体氧化处理槽(9)内配制电解质溶液(4),电解质溶液(4)采用碱性介质,为Ba(OH)2,调节pH值在7.5~9.0之间;(二)、微等离子体氧化处理:搅拌器(7)以搅拌速度120-150转/分搅拌电解质溶液(4),反应5-10分钟,向阳极(5)上施加电压500~600V直流脉冲,阳极(5)表面形成微等离子体放电,放电时间为10~20min,阳极(5)表面形成氧化膜层,阳极(5)材料选用Ti。 |
地址 |
116026辽宁省大连市甘井子区凌海路1号 |