| 发明名称 | IC芯片的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种可以以高生产率制造厚50μm以下例如25～30μm左右的极薄IC芯片的IC芯片制造方法。本发明至少包括：使至少在一个面的粘合层中含有在光照射下产生气体的气体产生剂的双面粘合带的含有所述气体产生剂的面、与晶片贴合，将所述晶片固定于支撑板上的工序(1)，在借助所述双面粘合带将所述晶片固定于所述支撑板上的状态下磨削所述晶片的工序(2)，向所述双面粘合带照射光的工序(3)，以及从所述晶片剥离所述双面粘合带的工序(4)；在工序(3)中，从所述双面粘合带中释放气体的速度为5μL/cm<SUP>2</SUP>·分钟以上。 | ||
| 申请公布号 | CN101019206A | 申请公布日期 | 2007.08.15 |
| 申请号 | CN200480043615.7 | 申请日期 | 2004.08.02 |
| 申请人 | 积水化学工业株式会社 | 发明人 | 畠井宗宏;林聪史;福冈正辉;檀上滋;大山康彦;下村和弘;杉田大平;北岛义一 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01);H01L21/68(2006.01);C09J201/00(2006.01);C09J5/00(2006.01);C09J7/02(2006.01) | 主分类号 | H01L21/02(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 朱丹 |
| 主权项 | 1.一种IC芯片的制造方法，其特征在于，至少包括：使至少在一个面的粘合层中含有在光照射下产生气体的气体产生剂的双面粘合带的含有所述气体产生剂的面、与晶片贴合，将所述晶片固定于支撑板上的工序(1)，在借助所述双面粘合带将所述晶片固定于所述支撑板上的状态下，磨削所述晶片的工序(2)，向所述双面粘合带照射光的工序(3)，以及从所述晶片剥离所述双面粘合带的工序(4)，在工序(3)中，从所述双面粘合带中释放气体的速度为5μL/cm2·分钟以上。 | ||
| 地址 | 日本大阪 | ||