发明名称 多芯片堆栈结构
摘要 本发明公开一种多芯片堆栈结构,该多芯片堆栈结构包括:一芯片承载件,多个以阶梯方式依次堆栈在该芯片承载件上的半导体芯片以及至少一被动元件,接置在该芯片承载件上对应于该阶梯堆栈半导体芯片中外悬出半导体芯片的下方。本发明的多芯片堆栈结构在阶梯芯片堆栈结构中的芯片承载件上对应于外悬出芯片的一侧预先设置被动元件,在封装模压制程中,对应该阶梯芯片堆栈结构焊线端平行朝向注模口时,可利用该被动元件作为填充件避免气洞产生;当焊线端对应平行远离注模口时,可利用该被动元件作为阻挡件避免模流直接冲击芯片,造成芯片剥离问题;同时将被动元件接置在该芯片承载件上对应于堆栈芯片外悬部分的下方,可提供被动元件布设区域。
申请公布号 CN101017811A 申请公布日期 2007.08.15
申请号 CN200610007431.6 申请日期 2006.02.10
申请人 矽品精密工业股份有限公司 发明人 刘坤祯;陈建志;王忠宝
分类号 H01L25/00(2006.01);H01L25/16(2006.01) 主分类号 H01L25/00(2006.01)
代理机构 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人 程伟
主权项 1.一种多芯片堆栈结构,其特征在于,该多芯片堆栈结构包括:一芯片承载件;多个半导体芯片,以阶梯方式依次堆栈在该芯片承载件上;以及至少一被动元件,接置在该芯片承载件上对应于该阶梯堆栈半导体芯片中外悬出半导体芯片的下方。
地址 台湾省台中县