发明名称 |
高速率半导体光发射组件的封装结构及方法 |
摘要 |
本发明主要涉及光纤通信领域,特别是一种高速率半导体光发射组件的封装结构及方法。结构包括;带有射频连接头的蝶形管壳、半导体致冷器、KOVAR金属热沉、介质热沉基片、光发射器件、热敏电阻、背光检测探测器、用互连金丝连接直流接线电极和管壳引脚,用金丝或金带连接介质热沉基片和介质基片上的共面波导传输线,以及光学耦合组件。方法包括:直流端口在管壳外部采用等间距排列的BTF标准封装形式;高频端口采用射频连接头;光学组件部分采用的是分离式调整;还具有热敏电阻和背光探测器便于监视半导体激光器的工作状态;带有半导体致冷器,用于对光发射芯片的工作温度进行控制。 |
申请公布号 |
CN101017956A |
申请公布日期 |
2007.08.15 |
申请号 |
CN200610003069.5 |
申请日期 |
2006.02.08 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所 |
发明人 |
吴德馨;杨成樾;李宝霞 |
分类号 |
H01S5/026(2006.01);H01S5/022(2006.01);H01S5/024(2006.01);H01S5/00(2006.01);H01L25/00(2006.01);H01L23/00(2006.01);H01L21/50(2006.01);G02B6/00(2006.01);H04B10/02(2006.01) |
主分类号 |
H01S5/026(2006.01) |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
段成云 |
主权项 |
1.一种用于高速率半导体光发射组件的封装结构,其特征在于,该封装包括:一带有射频连接头(2)的蝶形管壳;一半导体致冷器焊(8)结在管壳里面;一KOVAR金属热沉(9)焊结在半导体致冷器(8)上;一带有用于将高频信号输入到光发射器件的共面波导传输线、匹配电阻以及直流接线电极的介质热沉基片(3);一光发射器件(5)和一热敏电阻烧结在介质热沉基片(3)上;一连接射频连接头(2)的带共面波导传输线的介质基片(1);一光学耦合组件;介质热沉基片(3)及一背光检测探测器(7)焊结在KOVAR金属热沉(9)上;用互连金丝连接直流接线电极和管壳引脚,用金丝或金带连接介质热沉基片(3)和介质基片(1)上的共面波导传输线。 |
地址 |
100029北京市朝阳区北土城西路3号 |