| 主权项 |
1.一种动态随机存取记忆体制程,包括: 于一基底上形成一字元线结构; 于该字元线结构两侧之该基底中形成一源极区与 一汲极区; 于该字元线结构的侧壁形成一间隙壁; 于该基底上形成一第一介电层,该第一介电层具有 暴露出该源极区之一位元线接触窗开口与暴露出 该汲极区之一节点接触垫(Node Contact Pad,NC Pad)开口 ; 于该基底上形成一导体层,该导体层系填满该位元 线接触窗开口与该节点接触垫开口,并且覆盖该第 一介电层; 移除部分的该导体层,以于该第一介电层上定义出 一位元线,并且于该节点接触垫开口中形成一节点 接触垫; 于该基底上形成一第二介电层,覆盖该位元线,且 该第二介电层具有暴露出该节点接触垫之一节点 接触窗开口; 于该节点接触窗开口中形成一节点接触窗,且该节 点接触窗与该节点接触垫电性连接;以及 于该节点接触窗上形成一下电极。 2.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆 体制程,其中移除部分的该导体层,以于该第一介 电层上定义出该位元线,并且于该节点接触垫开口 中形成该节点接触垫的方法包括: 于该基底上形成一图案化之光阻层,该图案化之光 阻层系覆盖预定形成位元线之区域;以及 移除未被该图案化之光阻层覆盖之该导体层,直到 暴露出该第一介电层的顶部。 3.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆 体制程,其中于该基底上形成具有该位元线接触窗 开口与该节点接触垫开口之该第一介电层的方法 包括: 于该基底上形成一介电材料层,覆盖该字元线结构 、该间隙壁与该基底;以及 移除部分该介电材料层,以形成暴露出该源极区与 该汲极区之多数个自行对准接触窗开口。 4.如申请专利范围第3项所述之动态随机存取记忆 体制程,其中该间隙壁与该介电材料层具有不同之 蚀刻选择性。 5.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆 体制程,其中该节点接触窗的形成方法包括: 于该节点接触窗开口中填入一导体材料层;以及 移除该节点接触窗开口以外之该导体材料层。 6.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆 体制程,其中该间隙壁的形成方法包括: 于该基底上形成一间隙壁材料层,覆盖该字元线结 构与该基底;以及 对该间隙壁材料层进行一非等向性蚀刻制程。 7.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆 体制程,其中该源极区与该汲极区之形成方法包括 以该字元线结构作为罩幕,进行离子植入步骤。 8.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆 体制程,其中该字元线结构包括一闸极结构。 9.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆 体制程,其中该导体层的材质包括多晶矽。 10.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆 体制程,其中该导体层的形成方法包括进行一化学 气相沈积制程。 11.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆 体制程,其中该下电极与该节点接触窗的材质相同 。 12.如申请专利范围第11项所述之动态随机存取记 忆体制程,其中该下电极与该节点接触窗的形成方 法包括: 于该基底上形成一导体材料层,该导体材料层系填 满该节点接触窗开口; 于该导体材料层上形成一图案化之光阻层;以及 以该图案化之光阻层为罩幕,定义出该下电极。 图式简单说明: 图1A至图1B是习知一种动态随机存取记忆体之制造 流程上视示意图。 图2A至图2B是图1A至图113沿II-II'剖面所得之制造流 程剖面示意图。 图3A至图3D是本发明之一较佳实施例的一种动态随 机存取记忆体之制造流程上视示意图。 图4A至图4D是图3A至图3D沿II-II'剖面所得之制造流 程剖面示意图。 图5A是图3D沿III-III'剖面所得之剖面示意图。 图5B是图3D沿IV-IV'剖面所得之剖面示意图。 |
