| 主权项 |
1.一种修复方法,包括: 提供一覆晶封装件,至少包括一晶片及一基板,该 晶片具有复数个金属凸块,该基板具有对应于该些 金属凸块之复数个接点,其中第一部分之该些金属 凸块系焊接于对应之该些接点,第二部分之该些金 属凸块系与对应之该些接点分离; 浸泡该覆晶封装件于一助焊剂(flux);以及 回焊该覆晶封装件,并据以将第二部分之该些金属 凸块焊接于对应之该些接点。 2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该回焊该 覆晶封装件之步骤后更包括: 清洗该覆晶封装件。 3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该回焊该 覆晶封装件之步骤后更包括: 修复该基板上之复数个电容器;以及 清洗该覆晶封装件。 4.如申请专利范围第3项所述之方法,其中该修复该 基板上之复数个电容器之步骤前更包括: 去除残留之该助焊剂。 5.如申请专利范围第3项所述之方法,其中该修复该 基板上之复数个电容器之步骤包括: 以一电烙铁将该基板上之复数个电容器与该基板 分离; 以该电烙铁将该基板上复数个焊料清除以暴露出 复数个焊垫;以及 将该些电容器焊接于对应之该些焊垫。 6.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该清洗该 覆晶封装件之步骤系使用一有机溶剂清洗该覆晶 封装件。 7.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该有机溶 剂系为酒精。 8.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该清洗该 覆晶封装件之步骤系使用一去离子水清洗该覆晶 封装件。 9.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该清洗该 覆晶封装件之步骤后更包括: 使用一气枪吹乾该覆晶封装件。 10.如申请专利范围第4项所述之方法,其中该去除 残留之该助焊剂之步骤系使用一去离子水清洗该 覆晶封装件以去除残留之该助焊剂。 11.如申请专利范围第10项所述之方法,其中该去除 残留之该助焊剂之步骤后更包括: 使用一气枪吹乾该覆晶封装件。 12.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该回焊 该覆晶封装件之步骤系使用一回焊炉回焊该覆晶 封装件。 13.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该助焊 剂系一水溶性液状助焊剂。 14.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该水溶 性液状助焊剂系一ASAHI WF515-75水溶性助焊剂。 图式简单说明: 第1图绘示依照本发明之较佳实施例之修复方法之 流程图。 第2A~2D图绘示依照第1图之修复方法之示意图。 |
