发明名称 用于快闪记忆元件之页面缓冲器
摘要 本发明所揭示者为一快闪记忆元件之一页面缓冲器,依据本发明,一锁存器于一程式验证中经由一程式验证讯号、一锁存器讯号与页面缓冲器中之锁存器资料被控制,其结果具有许多优点:第一,于再次程式化后程式验证被执行情形中,一传送单元未被再次感测且维持其值,第二,它可能避免因一感测运算与一由于外部因素之验证错误所造成之问题,结果地,程式运算错误可被避免。
申请公布号 TWI285374 申请公布日期 2007.08.11
申请号 TW093138240 申请日期 2004.12.10
申请人 海力士半导体股份有限公司 发明人 朱基锡
分类号 G11C16/06(2006.01) 主分类号 G11C16/06(2006.01)
代理机构 代理人 何金涂 台北市大安区敦化南路2段77号8楼;林荣琳 台北市大安区敦化南路2段77号8楼
主权项 1.一种用于一快闪记忆元件之页面缓冲器,包括: 一预充电节点; 一第一PMOS电晶体,依据一预充启动讯号预充电该 预充电节点; 一锁存器单元,依据预充电节点之一逻辑状态与一 保持讯号而被预定资料;且 一锁存器控制单元,依据锁存进锁存器单元之一资 料讯号、一程式验证讯号与一锁存器启动讯号输 出保持讯号。 2.如申请专利范围第1项之用于快闪记忆元件之页 面缓冲器,其中锁存器单元包括: 一锁存器节点; 一第一锁存器,具有一输入终端连接至锁存器节点 用以感测与锁存该被预定的资料; 一第一NMOS电晶体,依据一资料传送讯号而被连接 于锁存器节点与预充电节点间以连接预充电节点 与第一锁存器; 一第二NMOS电晶体,依据一重设讯号被连接于一电 源电压与欲驱动之另一输入终端间;与 第三与第四NMOS电晶体,依据预充电节点状态讯号 与保持讯号而被连接于另一输入终端与欲驱动之 一接地电源间。 3.如申请专利范围第2项之用于快闪记忆元件之页 面缓冲器,其中锁存器控制单元包括: 一第一NAND闸,接收程式验证讯号与一储存入于锁 存器单元之资料讯号之逻辑状态;与 一第二NAND闸,接收第一NAND闸输出讯号与锁存器启 动讯号以输出一保持讯号。 4.一种用于快闪记忆元件之页面缓冲器,包含:一预 充电节点;一锁存器单元,用以依据预充电节点之 一状态来感测被预定之资料;以及一位元线选择单 元,用以依据一位元线选择讯号来转换一位元线与 预充电节点之一逻辑状态至预充电节点与位元线, 其中用于快闪记忆元件之页面缓冲器执行数个程 式与程式验证运算,及又包含一锁存器控制单元, 用以输出一保持讯号来控制锁存器运算,其系于下 一程式运算中使用一锁存器讯号而被验证至一先 前已程式化单元,其中已程式化单元之一验证结果 被锁存于一先前程式验证运算。 5.如申请专利范围第4项之页面缓冲器,其中锁存器 控制单元包含: 一第一NAND闸,接收一程式验证讯号之逻辑状态与 锁存至锁存器之一资料讯号;及 一第二NAND闸,接收第一NAND闸之输出讯号与一锁存 器启动讯号,以输出保持讯号。 图式简单说明: 第1图为一电路图说明依据本发明之一快闪记忆元 件之一页面缓冲器。 第2图为依据本发明之一位元线选择单元之一电路 图。 第3图为本发明之一快取单元之一电路图。
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