| 主权项 |
1.一种发光二极体封装结构,用以发出一目标波峰 波长,该发光二极体封装结构包含: 一承载体; 一第一晶粒,系设置于该承载体,该第一晶粒之发 光系具有一第一波峰波长,该第一波峰波长系大于 该目标波峰波长;以及 一第二晶粒,系设置于该承载体,该第二晶粒之发 光系具有一第二波峰波长,该第二波峰波长系小于 该目标波峰波长,该第一波峰波长与该第二波峰波 长系属于同一色系。 2.如申请专利范围第1项所述之发光二极体封装结 构,其中该承载体系为一基板或一导线架。 3.如申请专利范围第1项所述之发光二极体封装结 构,其中该第一晶粒与该第二晶粒系同时或不同时 发光。 4.如申请专利范围第1项所述之发光二极体封装结 构,其中该第一波峰波长与该第二波峰波长之差値 系小于50nm。 5.如申请专利范围第1项所述之发光二极体封装结 构,其中该第一波峰波长与该第二波峰波长之差値 系小于30nm。 6.如申请专利范围第1项所述之发光二极体封装结 构,其中该目标波长与该第一波峰波长之差値,系 不等于该目标波长与该第二波峰波长之差値。 7.如申请专利范围第1项所述之发光二极体封装结 构,其中该目标波长与该第一波峰波长之差値,系 等于该目标波长与该第二波峰波长之差値。 8.如申请专利范围第1项所述之发光二极体封装结 构,其中该第一晶粒与该第二晶粒之发光强度不同 。 9.如申请专利范围第1项所述之发光二极体封装结 构,其中该目标波峰波长约介于615nm至650nm之间。 10.如申请专利范围第1项所述之发光二极体封装结 构,其中该目标波峰波长约介于515nm至555nm之间。 11.如申请专利范围第1项所述之发光二极体封装结 构,其中该目标波峰波长约介于455nm至485nm之间。 12.如申请专利范围第1项所述之发光二极体封装结 构,更包含: 一第三晶粒,其系具有一第三波峰波长,该第一波 峰波长、该第二波峰波长以及该第三波峰波长系 属于该色系。 13.如申请专利范围第12项所述之发光二极体封装 结构,其中该第三波峰波长系大于该第一波峰波长 ,该第三波峰波长与该第二波峰波长之差値系小于 50nm。 14.如申请专利范围第12项所述之发光二极体封装 结构,其中该第三波峰波长系小于该第二波峰波长 ,该第一波峰波长与该第三波峰波长之差値系小于 50nm。 图式简单说明: 图1系为习知晶圆经切割形成复数晶粒之一示意图 ; 图2系为本发明之发光二极体之封装结构之一示意 图; 图3系为本发明之发光二极体之封装结构之另一示 意图; 图4系为本发明之发光二极体之封装结构之另一示 意图; 图5系为本发明之发光二极体之封装结构之另一示 意图; 图6系为本发明之发光二极体之封装结构中,第一 晶粒及第二晶粒所发出波长频谱之一示意图其中, 第一晶粒与目标波长之差値等于第二晶粒与目标 波长之差値; 图7系为本发明之发光二极体之封装结构中,第一 晶粒及第二晶粒所发出波长频谱之另一示意图,其 中,第一晶粒与目标波长之差値不等于第二晶粒与 目标波长之差値;以及 图8系为本发明之发光二极体之封装结构之另一示 意图。 |
