| 主权项 |
1.一种薄膜电晶体基板之制造方法,其包括以下步 骤: 提供一基板; 采用一道光罩制程于该基板上形成闸极及反射层; 于该闸极及反射层上形成半导体层; 于该半导体层上形成源/汲极; 于该源/汲极上形成钝化层; 于该钝化层形成像素电极。 2.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体基板制 造方法,其中,该闸极及反射层系采用一狭缝光罩 通过光罩制程制作。 3.如申请专利范围第2项所述之薄膜电晶体基板制 造方法,其中,该狭缝光罩包括一遮光区及一狭缝 区,该遮光区对应该闸极,该狭缝区对应该反射层 。 4.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体基板制 造方法,其中,该闸极包括一第一金属层及一层叠 设置之第二金属层。 5.如申请专利范围第4项所述之薄膜电晶体基板制 造方法,其中,该第一金属层之材料为高反射率之 金属材料。 6.如申请专利范围第5项所述之薄膜电晶体基板制 造方法,其中,该第一金属层之材料为下列之一:铝 、铝钕合金。 7.如申请专利范围第4项所述之薄膜电晶体基板制 造方法,其中,该第二金属层之材料为下列之一:钼 、铬、钛(Ti)。 8.如申请专利范围第5项所述之薄膜电晶体基板制 造方法,其中,反射层之材料与该第一金属层之材 料相同。 图式简单说明: 第一图系先前技术之薄膜电晶体基板一像素单元 之平面示意图。 第二图系沿第一图所示线II-II之示意图。 第三图系本发明薄膜电晶体基板之制造方法之形 成第一金属层及第二金属层之示意图。 第四图系本发明薄膜电晶体基板之制造方法之一 光罩制程之示意图。 第五图系第四图所示之光罩立体示意图。 第六图系本发明薄膜电晶体基板之制造方法形成 厚度不同之光阻之示意图。 第七图系第六图所示基板进行蚀刻后之示意图。 第八图系第七图所示光阻进行蚀刻后之示意图。 第九图系本发明薄膜电晶体基板之制造方法形成 一闸极线及反射层之示意图。 第十图系本发明薄膜电晶体基板之制造方法形成 闸极绝缘层、非晶矽及掺杂非晶矽层之示意图。 第十一图系本发明薄膜电晶体基板之制造方法形 成半导体层图案之示意图。 第十二图系本发明薄膜电晶体基板之制造方法形 成源/汲极金属层之示意图。 第十三图系本发明薄膜电晶体基板之制造方法形 成源/汲极图案之示意图。 第十四图系本发明薄膜电晶体基板之制造方法形 成钝化层之示意图。 第十五图系本发明薄膜电晶体基板之制造方法形 成钝化层图案之示意图。 第十六图系本发明薄膜电晶体基板之制造方法形 成透明导电金属层之示意图。 第十七图系本发明薄膜电晶体基板之制造方法形 成像素电极之示意图。 |
