| 主权项 |
1.一种浅沟渠隔离结构的制造方法,包括: 提供一基底,该基底上已形成有一垫层、一多晶矽 层与一罩幕层; 图案化该多晶矽层与该罩幕层以形成一开口,而暴 露出该垫层; 进行一热氧化制程,以于该开口所暴露出之该多晶 矽层之侧壁上形成一氧化层; 去除该开口下方之部分该基底,而形成一沟渠; 形成一绝缘层以填满该沟渠; 移除该罩幕层与该多晶矽层;以及 移除该垫层。 2.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离结构的 制造方法,更包括于该沟渠与该绝缘层之间形成一 衬层。 3.如申请专利范围第2项所述之浅沟渠隔离结构的 制造方法,其中该衬层之材质包括氧化矽。 4.如申请专利范围第2项所述之浅沟渠隔离结构的 制造方法,其中该衬层之形成方法包括热氧化法。 5.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离结构的 制造方法,其中于进行该热氧化制程的步骤中,该 垫层更于邻接该开口处形成一鸟嘴形状。 6.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离结构的 制造方法,其中该垫层之材质包括氧化矽。 7.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离结构的 制造方法,其中该垫层之形成方法包括热氧化法或 化学气相沈积法。 8.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离结构的 制造方法,其中该罩幕层之材质包括氮化矽。 9.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离结构的 制造方法,其中该沟渠之形成方法包括以图案化之 该罩幕层为罩幕,进行非等向性蚀刻。 10.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离结构的 制造方法,其中该绝缘层之材质包括氧化矽。 11.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离结构的 制造方法,其中该绝缘层之形成方法包括高密度电 浆化学气相沈积法。 12.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离结构的 制造方法,其中于形成该绝缘层填满该沟渠后,更 包括利用化学机械研磨法来去除位于该罩幕层上 之部分该绝缘层。 13.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离结构的 制造方法,其中移除该罩幕层之方法包括进行湿式 蚀刻制程。 14.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离结构的 制造方法,其中移除该多晶矽层之方法包括以氨水 、双氧水与去离子水所构成之混合溶液作为蚀刻 液来进行蚀刻。 15.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离结构的 制造方法,其中移除该垫层之方法包括湿式蚀刻制 程。 16.一种浅沟渠隔离结构的制造方法,包括: 于一基底上形成一垫层; 于该垫层上形成一多晶矽层; 于该多晶矽层上形成一罩幕层; 移除部分该多晶矽层与该罩幕层而形成至少一开 口,其中该开口暴露出该垫层; 进行一氧化步骤,以于该开口侧壁所暴露出之该多 晶矽层表面形成一氧化层; 移除该开口所暴露出之该垫层与位于该垫层下之 该基底而形成一沟渠; 形成一绝缘层以填满该沟渠; 移除该罩幕层与该多晶矽层;以及 移除该垫层。 17.如申请专利范围第16项所述之浅沟渠隔离结构 的制造方法,更包括于该沟渠与该绝缘层之间形成 一衬层。 18.如申请专利范围第17项所述之浅沟渠隔离结构 的制造方法,其中该衬层之形成方法包括于该沟渠 填满该绝缘层前,于表面进行热氧化法。 19.如申请专利范围第16项所述之浅沟渠隔离结构 的制造方法,其中于进行该氧化步骤中,该垫层更 于邻接该开口处形成一鸟嘴形状。 20.如申请专利范围第16项所述之浅沟渠隔离结构 的制造方法,其中于形成该绝缘层填满该沟渠后, 更包括利用化学机械研磨法来去除位于该罩幕层 上之部分该绝缘层。 21.如申请专利范围第16项所述之浅沟渠隔离结构 的制造方法,其中移除该罩幕层之方法包括进行湿 式蚀刻制程。 22.如申请专利范围第16项所述之浅沟渠隔离结构 的制造方法,其中移除该多晶矽层之方法包括以氨 水、双氧水与去离子水所构成之混合溶液作为蚀 刻液来进行蚀刻。 23.如申请专利范围第16项所述之浅沟渠隔离结构 的制造方法,其中移除该垫层之方法包括湿式蚀刻 制程。 图式简单说明: 图1A至图1D绘示为习知一种浅沟渠隔离结构之制造 流程剖面示意图。 图2A至图2E绘示为依照本发明实施例的浅沟渠隔离 结构之制造流程剖面图。 图3绘示为本发明的浅沟渠隔离结构之制造流程中 形成鸟嘴区之结构剖面图。 |
