| 主权项 |
1.一种具有超晶格结构之太阳电池,包括于一个三 接面太阳电池的中间电池基射极(base-emitter)间具 有一超晶格结构(superlattice structure)。 2.如申请专利范围第1项所述之具有超晶格结构之 太阳电池,其中该超晶格结构包括为氮化镓砷/砷 化镓铟(GaAsN/GaInAs)超晶格结构、氮化镓砷/砷化镓 锑(GaAsN/GaSbAs)超晶格结构或氮化镓砷/砷化镓铟锑( GaAsN/GaInSbAs)超晶格结构。 3.如申请专利范围第1项所述之具有超晶格结构之 太阳电池,其中该三接面太阳电池包括为磷化镓铟 /砷化镓/锗(GaInP/GaAs/Ge)三接面太阳电池。 4.一种制造具有超晶格结构之太阳电池之方法,包 括: 提供一基板(substrate); 在该基板上形成一底部电池(bottom cell); 在该底部电池上形成一穿隧接面(tunnel junction); 在该穿隧接面上形成一背面电场(back surface field) 、一基极(base)、一超晶格结构、一射极(emitter)以 及一透光层(GaInP window),以形成具有该超晶格结构 的一中间电池; 在该中间电池上形成另一穿隧接面; 在另该穿隧接面上形成一顶部电池(top cell); 在该顶部电池上形成一抗反射层(anti-reflection);以 及 在该底部电池及该顶部电池上形成p/n掺杂的接触( contact)。 5.如申请专利范围第4项所述之制造具有超晶格结 构之太阳电池之方法,其中该超晶格结构包括为氮 化镓砷/砷化镓铟超晶格结构、氮化镓砷/砷化镓 锑超晶格结构或氮化镓砷/砷化镓铟锑超晶格结构 。 6.如申请专利范围第4项所述之制造具有超晶格结 构之太阳电池之方法,其中形成该超晶格结构的方 法包括应力补偿技术(strain-compensate technology)。 7.如申请专利范围第4项所述之制造具有超晶格结 构之太阳电池之方法,其中该底部电池包括为锗底 部电池(Ge bottom cell)。 8.如申请专利范围第4项所述之制造具有超晶格结 构之太阳电池之方法,其中该背面电场包括为磷化 镓铟背面电场(GaInP back surface field)。 9.如申请专利范围第4项所述之制造具有超晶格结 构之太阳电池之方法,其中该基极包括为砷化镓基 极(GaAs base)。 10.如申请专利范围第4项所述之制造具有超晶格结 构之太阳电池之方法,其中该射极包括为砷化镓射 极(GaAs emitter)。 11.如申请专利范围第4项所述之制造具有超晶格结 构之太阳电池之方法,其中该透光层包括为磷化镓 铟透光层(GaInP window)。 12.如申请专利范围第4项所述之制造具有超晶格结 构之太阳电池之方法,其中该顶部电池包括为磷化 镓铟顶部电池(GalnP top cell)。 图式简单说明: 第1图为本发明之实施例的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体 晶格常数-能隙图;以及 第2图为本发明之制造具有超晶格结构之太阳电池 之方法实施例结构示意图。 |
