| 主权项 |
1.一种用以对晶圆施加处理之晶圆处理装置,该装 置包括下列要素: 用以载置板状基盘之载置部; 用以加热经载置在该载置部的基盘之加热机构; 用以在经载置在该载置部的基盘表面上涂布固定 化用组成物之第一涂布机构; 用以将晶圆输入至经涂布固定化用组成物的基盘 上之输入机构;及 用以在经接着在该基盘的晶圆之外周缘全周涂布 端面保护材料之第二涂布机构。 2.如申请专利范围第1项之晶圆处理装置,其中该第 二涂布机构系用以自晶圆外周缘起直至仅以特定 宽度进入内侧之位置涂布端面保护材料。 3.如申请专利范围第1项之晶圆处理装置,其中该载 置部系用以载置具有对于在薄化所使用的蚀刻液 之抗性,且具有与晶圆相同的热线性膨胀系数之板 状基盘。 4.如申请专利范围第2项之晶圆处理装置,其中该载 置部系用以载置具有对于在薄化所使用的蚀刻液 之抗性,且具有与晶圆相同的热线性膨胀系数之板 状基盘。 5.如申请专利范围第1项之晶圆处理装置,其中该基 盘为SiC。 6.如申请专利范围第1项之晶圆处理装置,其中该基 盘为非晶形碳。 7.一种用以对晶圆施加处理之晶圆处理方法,该方 法包括下列步骤: 用以使晶圆载置在基盘并以固定化用组成物加以 接着之接着步骤; 用以在晶圆之外周缘全周涂布端面保护材料之端 面保护步骤; 用以使经接着晶圆的基盘浸渍在储存于处理槽之 蚀刻液中,以使晶圆厚度变薄之薄化步骤。 8.如申请专利范围第7项之晶圆处理方法,其中在该 端面保护步骤之端面保护材料,系涂布至自晶圆外 周缘起直至仅以特定宽度进入内侧之位置。 9.如申请专利范围第7项之晶圆处理方法,其中在该 薄化步骤后,具备用以在距自晶圆外周缘为以特定 宽度朝内侧之处加以切断晶圆之切断步骤。 10.如申请专利范围第7项之晶圆处理方法,其中在 该薄化步骤后,具备以溶解液溶解除去端面保护材 料之溶解步骤。 11.如申请专利范围第8项之晶圆处理方法,其中在 该薄化步骤后,具备以溶解液溶解除去端面保护材 料之溶解步骤。 12.如申请专利范围第7项之晶圆处理方法,其中该 端面保护材料含有碳。 13.如申请专利范围第8项之晶圆处理方法,其中该 端面保护材料含有碳。 14.如申请专利范围第9项之晶圆处理方法,其中该 端面保护材料含有碳。 15.一种用以对晶圆施加处理之晶圆处理装置,该装 置包括下列要素: 用以载置具有对于在薄化所使用的蚀刻液之抗性, 且具有与晶圆相同的热线性膨胀系数的板状基盘 之载置部; 用以加热经载置在该载置部的基盘之加热机构; 用以在经载置在该载置部的基盘表面上涂布固定 化用组成物之涂布机构; 用以将晶圆输入至经涂布固定化用组成物的基盘 上之输入机构。 16.如申请专利范围第15项之晶圆处理装置,其中该 基盘为SiC。 17.如申请专利范围第15项之晶圆处理装置,其中该 基盘为非晶形碳。 18.如申请专利范围第15项之晶圆处理装置,其中又 具备用以在经接着在该基盘的晶圆之外周缘全周 涂布端面保护材料之保护材料涂布机构。 19.如申请专利范围第16项之晶圆处理装置,其中又 具备用以在经接着在该基盘的晶圆之外周缘全周 涂布端面保护材料之保护材料涂布机构。 20.如申请专利范围第17项之晶圆处理装置,其中又 具备用以在经接着在该基盘的晶圆之外周缘全周 涂布端面保护材料之保护材料涂布机构。 图式简单说明: 第1图系展示实施例之晶圆接着装置示意构成方块 图。 第2图系展示实施例之蚀刻装置示意构成纵剖面图 。 第3图系展示晶圆接着次序模式图。 第4图系展示晶圆接着次序模式图。 第5图系展示在晶圆接着时之端面保护模式图。 第6图系展示在晶圆接着时之端面保护模式图。 第7图系展示晶圆之端面保护状态纵剖面图。 第8图系展示晶圆之端面保护状态俯视图。 第9图系展示薄化中之状态立体图。 第10图系展示薄化后之晶圆状态纵剖面图。 第11图系展示晶圆之切断模式图。 第12图系展示晶圆之端面保护变形例纵剖面图。 第13图系展示在变形例中经薄化后之晶圆状态纵 剖面图。 |
