发明名称 积层陶瓷电容器
摘要 本发明提供一种即使将介电体层薄型化并追求高静电容量时,仍然可以维持充分的绝缘电阻的积层陶瓷电容器。本发明的电容器(10)(积层陶瓷电容器),具备内部电极(12)和介电体层(14)交替积层的电容器元件(11)和在其端面设置的外部电极(15)。在电容器元件(11)中,在内部电极(12)和介电体层(14)之间设置有高电阻层(24)。该高电阻层(24)含有陶瓷材料、以及选自Mn、Cr、Co、Fe、Cu、Ni、Mo和V的至少一种元素及/或稀土类元素。
申请公布号 TWI285381 申请公布日期 2007.08.11
申请号 TW094125865 申请日期 2005.07.29
申请人 TDK股份有限公司 发明人 岩永大介
分类号 H01G4/12(2006.01);H01G4/30(2006.01) 主分类号 H01G4/12(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 1.一种积层陶瓷电容器,其特征在于包含: 一对电极, 配置在前述一对电极之间之包含含有陶瓷材料的 介电材料的介电体层,及 配置在前述电极和前述介电体层之间之含有陶瓷 材料和预定元素的高电阻层; 前述介电体层含有前述介电材料的粒子,并且在其 厚度方向具有只由一个该粒子构成的部位, 前述高电阻层含有选自由Mn、Cr、Co、Fe、Cu、Ni、 Mo和V所成群的至少一种元素作为前述预定元素。 2.一种积层陶瓷电容器,其特征在于包含: 一对电极, 配置在前述一对电极之间之包含含有陶瓷材料的 介电材料的介电体层,及 配置在前述电极和前述介电体层之间之含有陶瓷 材料和预定元素的高电阻层; 前述介电体层含有前述介电材料的粒子,并且在其 厚度方向具有只由一个该粒子构成的部位, 前述高电阻层含有稀土类元素作为前述预定元素 。 3.一种积层陶瓷电容器,其特征在于包含: 一对电极, 配置在前述一对电极之间之包含含有陶瓷材料的 介电材料的介电体层,及 配置在前述电极和前述介电体层之间之含有陶瓷 材料和预定元素的高电阻层; 前述介电体层含有前述介电材料的粒子,并且在其 厚度方向具有只由一个该粒子构成的部位, 前述高电阻层含有选自由Mn、Cr、Co、Fe、Cu、Ni、 Mo和V所成群的至少一种元素及稀土类元素作为前 述预定元素。 4.如请求项2或3之积层陶瓷电容器,其中 前述稀土类元素系选自由Y、Dy、Gd、Ho、Sc、Er、Yb 、Tb和Tm所成群的至少1种元素。 5.如请求项1~3中任一项之积层陶瓷电容器,其中 前述高电阻层包含的前述陶瓷材料,含有与前述介 电体层包含的前述陶瓷材料的构成元素相同的元 素。 6.如请求项1~3中任一项之积层陶瓷电容器,其中 前述介电材料含有选自由Mn、Cr、Co、Fe、Cu、Ni、 Mo和V所成群的至少一种元素,及/或进一步还含有 稀土类元素。 7.如请求项6之积层陶瓷电容器,其中 前述介电材料含有与前述高电阻层包含的前述预 定元素相同的元素;且 前述高电阻层中前述元素的含有比例大于前述介 电材料的所述粒子中该元素的含有比例。 8.如请求项1或3之积层陶瓷电容器,其中 前述介电材料系选自由Mn、Cr、Co、Fe、Cu、Ni、Mo 和V所成群的至少一种元素,与前述高电阻层含有 相同的元素;且 前述高电阻层中前述元素的含有比例为前述介电 材料的前述粒子中该元素含有比例的2倍以上。 9.如请求项2或3之积层陶瓷电容器,其中 前述介电材料为稀土类元素,与前述高电阻层含有 相同的元素;且 前述高电阻层中前述元素的含有比例为前述介电 材料的前述粒子中该元素含有比例的1.5倍以上。 10.如请求项1~3中任一项之积层陶瓷电容器,其中 前述介电材料包含的前述陶瓷材料系以Ba和Ti为主 要成分的复合氧化物。 11.如请求项1~3中任一项之积层陶瓷电容器,其中 前述高电阻层所含的前述预定元素为Mn和Y。 图式简单说明: 图1系表示实施方式的积层陶瓷电容器的截面结构 图。 图2系表示图1所示积层陶瓷电容器的内部电极12和 介电体层14的介面附近的放大示意图。 图3系表示内部电极和介电体层的介面附近的透射 型电子显微镜照片的图。
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