| 主权项 |
1.一种蚀刻装置,包括: 一蚀刻反应室; 一气体输送管,配置于该蚀刻反应室上方,用以输 送气体至该蚀刻反应室之外侧表面; 一气体分散板,配置于该气体输送管之出口,其中 该气体分散板具有一板体与一内圈片部分,该内圈 片部分立于该板体上,并面向该气体输送管的出口 ,且该内圈片部分及该内圈片部分外围之该板体上 具有多数个贯孔;以及 一加热器,配置于该气体输送管与该蚀刻反应室之 间的空间的周围,用以加热自气体分散板吹出之气 体。 2.如申请专利范围第1项所述之蚀刻装置,其中该气 体分散板更包括一外圈片部分,该外圈片部分系围 绕该板体。 3.如申请专利范围第1项所述之蚀刻装置,其中该气 体分散板之该板体系呈圆盘状。 4.如申请专利范围第1项所述之蚀刻装置,其中该气 体分散板之该内圈片部分系呈圆环状。 5.如申请专利范围第1项所述之蚀刻装置,其中该气 体分散板之该板体与该内圈片部分为一体成形。 6.如申请专利范围第1项所述之蚀刻装置,其中该些 贯孔系呈平均分布状。 7.如申请专利范围第1项所述之蚀刻装置,其中该气 体输送管所输送之气体包括压缩乾燥空气。 8.如申请专利范围第1项所述之蚀刻装置,其中该加 热器包括灯管。 9.如申请专利范围第1项所述之蚀刻装置,其中该蚀 刻反应室包括一圆罩与一基座,其中该圆罩配置于 该基座上方,且该基座系用以承载与固定待蚀刻之 晶圆。 10.如申请专利范围第9项所述之蚀刻装置,其中该 圆罩的材质包括陶瓷。 11.一种蚀刻方法,其系使用一蚀刻装置来进行,该 蚀刻装置包括一蚀刻反应室、配置于该蚀刻反应 室上方的一气体输送管、配置于该气体输送管的 出口的一气体分散板,以及配置于该气体输送管与 该蚀刻反应室之间的空间的周围的一加热器,其中 该气体分散板具有一板体与立于其上的一内圈片 部分,该内圈片部分面向该气体输送管的出口,且 该内圈片部分及该内圈片部分外围的该板体上有 多数个贯孔,该方法包括: 将待蚀刻之一晶圆置于该蚀刻反应室内;以及 对该晶圆进行蚀刻,同时由该气体输送管将一气体 传送至该蚀刻装置内,并经由该气体分散板将该气 体平均朝向该蚀刻反应室之外侧表面吹拂,且同时 利用该加热器调整吹出之该气体的温度。 12.如申请专利范围第11项所述之蚀刻方法,其中该 气体分散板更包括一外圈片部分,该外圈片部分系 围绕该板体。 13.如申请专利范围第11项所述之蚀刻方法,其中该 气体喷嘴之该板体系呈圆盘状。 14.如申请专利范围第11项所述之蚀刻方法,其中该 气体喷嘴之该内圈片部分系呈圆环状。 15.如申请专利范围第11项所述之蚀刻方法,其中该 气体喷嘴之该板体与该内圈片部分为一体成形。 16.如申请专利范围第11项所述之蚀刻方法,其中该 些贯孔系呈平均分布状。 17.如申请专利范围第11项所述之蚀刻方法,其中该 气体包括压缩乾燥空气。 18.如申请专利范围第11项所述之蚀刻方法,其中该 加热器包括灯管。 19.如申请专利范围第11项所述之蚀刻方法,其中该 蚀刻反应室包括一圆罩与一基座,其中该圆罩配置 于该基座上方,且该基座系用以承载与固定该晶圆 。 20.如申请专利范围第19项所述之蚀刻方法,其中该 圆罩的材质包括陶瓷。 图式简单说明: 图1为习知一种电浆蚀刻装置的示意图。 图2A~2B为习知一种电浆蚀刻装置内之温度控制系 统的气体喷嘴之侧视图/下视图。 图3为本发明实施例之蚀刻装置的示意图。 图4为本发明实施例之蚀刻装置的气体分散板之立 体图。 |
