发明名称 氢氰化之方法及其所用之多齿亚磷酸盐配位体及镍触媒组合物
摘要 本发明有关一种供其中乙烯属双键不与分子内之任何其他不饱和基共轭之脂族单乙烯属不饱和化合物、或其中乙烯属双键与酯基共轭之单乙烯属不饱和化合物之氢氰化之方法,其方法在路易斯酸促进剂之存在下使用包括零价镍及多齿亚磷酸盐配位体之触媒组合物。
申请公布号 TWI285194 申请公布日期 2007.08.11
申请号 TW087111728 申请日期 1998.08.01
申请人 伊唯斯科技公司 发明人 威尔森泰恩;可利斯庭纳安可露特札;詹姆士麦可盖恩尔
分类号 C07C253/10(2006.01);C07F9/145(2006.01);C07F9/6574(2006.01);B01J31/18(2006.01) 主分类号 C07C253/10(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 1.一种氢氰化之方法,其包括在包含路易斯酸(Lewis acid)、零价镍及至少选自包括下式I、II、III、IV、 V、VI、VII、VIII及IX之多齿亚磷酸盐配位体之触媒 先质组合物之存在下,使其中乙烯属双键不与分子 内之任何其他烯烃基共轭之无环、脂族、单乙烯 属不饱和化合物,或使其中乙烯属双键与有机酯基 共轭之单乙烯属不饱和化合物,与HCN源反应 其中 各R1独立为具有1至12个碳原子之一级、二级、或 三级烃基;但至少一R1必须为一级烃基; 各R2独立为H、卤素、具有1至12个碳原子之一级或 二级烃基、OR3(其中R3为C1至C12烷基)或CO2R3'(其中R3' 为芳基或C1至C12烷基); 各R2'独立为H、卤素、CHO、具有1至12个碳原子之一 级、二级或三级烃基、OR3(其中R3为C1至C12烷基)、 CO2R3'(其中R3'为芳基或C1至C12烷基);或C(R3)(O)(其中R3 为C1至C12烷基); 各R4独立为H、具有1至12个碳原子之一级或二级烃 基或CO2R3(其中R3为C1至C12烷基);及 各R4'独立为H、具有1至12个碳原子之一级或二级烃 基或芳基, 其中路易斯酸系选自包括无机或有机金属化合物, 其中阳离子选自包括钪、钛、钒、铬、锰、铁、 钴、铜、锌、硼、铝、钇、锆、铌、钼、镉、铼 及锡,且其中该配位体以31P NMR测定于128.1ppm至142.2 ppm范围显示一主峰。 2.根据申请专利范围第1项之方法,其中起始乙烯属 不饱和化合物选自包括下列式X与XII之化合物: CH3-(CH2)y-CH=CH-(CH2)x-R5 (X) CH2=CH-(CH2)x-R5 (XII) 其中 R5为H,CN,CO2R3',或全氟烷基; y为0至12之整数; 当R5为H、CO2R3'或全氟烷基时,x为0至12之整数; 当R5为CN时,x为1至12之整数;及 R3'为芳基或C1至C12烷基。 3.根据申请专利范围第1项之方法,其中起始单乙烯 属不饱和化合物选自包括3-戊烯、4-戊烯;2-、 3-与4-戊烯酸烷酯及CzF2z+1CH=CH2,其中z为1至12之整数 。 4.根据申请专利范围第3项之方法,其中起始单乙烯 属不饱和化合物为3-戊烯或4-戊烯。 5.根据申请专利范围第1项之方法,其系在-25℃至200 ℃之温度及50.6至1013 kPa之压力下进行。 6.根据申请专利范围第5项之方法,其系在大气压及 0℃至150℃之温度下进行。 7.根据申请专利范围第1项之方法,其中路易斯酸选 自包括ZnBr2、ZnI2、ZnCl2、ZnSO4、CuCl2、CuCl、Cu(O3SCF3 )2、CoCl2、CoI2、FoI2、FeCl3、FeCl2(四氢喃)2、TiCl4( 四氢喃)2、FeCl2、TiCl4、TiCl3、ClTi(OiPr)3、MnCl2、 ScCl3、AlCl3、(C8H17)AlCl2、(C8H17)2AlCl、(异-C4H9)2AlCl、 (苯基)2AlCl、苯基AlCl2、ReCl5、ZrCl4、NbCl5、VCl3、 CrCl2、MoCl5、YCl3、CdCl2、LaCl3、Er(O3SCF3)3、Yb(O2CCF3)3 、SmCl3、TaCl5、CdCl2、B(C6H5)3及(C6H5)3SnX,其中X=CF3SO3 、CH3C6H5SO3或(C6H5)3 BCN。 8.一种多齿亚磷酸盐配位体,其选自下列式I、II、 III、IV、V、VI、VII、VIII及IX所示之组群: 其中 各R1独立为具有1至12个碳原子之一级、二级或三 级烃基;但至少一R1必须为一级烃基; 各R2独立为H、卤素、具有1至12个碳原子之一级或 二级烃基、OR3(其中R3为C1至C12烷基)或CO2R3'(其中R3' 为芳基或C1至C12烷基); 各R2'独立为H、卤素、CHO、具有1至12个碳原子之一 级、二级或三级烃基、OR3(其中R3为C1至C12烷基)、 CO2R3'(其中R3'为芳基或C1至C12烷基);或C(R3)(O)(其中R3 为C1至C12烷基); 各R4独立为H、具有1至12个碳原子之一级或二级烃 基、或CO2R3(其中R3为C1至C12烷基);及 各R4'独立为H、具有1至12个碳原子之一级或二级烃 基、或芳基,且 其中不包括以下配位体: 9.一种触媒先质组合物,其包括零价镍及根据申请 专利范围第8项之多齿亚磷酸盐配位体。 10.根据申请专利范围第9项之触媒先质组合物,其 中路易斯酸亦存在。 11.根据申请专利范围第10项之触媒先质组合物,其 中路易斯酸选自包括ZnBr2、ZnI2、ZnCl2、ZnSO4、CuCl2 、CuCl、Cu(O3SCF3)2、CoCl2、CoI2、FeI2、FeCl3、FeCl2(四 氢喃)2、FeCl2、TiCl4(四氢喃)2、TiCl4、TiCl3、 ClTi(OiPr)3、MnCl2、ScCl3、AlCl3、(C8H17)AlCl2、(C8H17)2 AlCl、(异-C4H9)2 AlCl、(苯基)2AlCl、苯基AlCl2、ReCl5、 ZrCl4、NbCl5、VCl3、CrCl2、MoCl5、YCl3、CdCl2、LaCl3、Er (O3SCF3)3、Yb(O2CCF3)3、SmCl3、TaCl5、CdCl2、B(C6H5)3及(C6 H5)3SnX,其中X=CF3SO3、CH3C6H5SO3或(C6H5)3BCN。 12.根据申请专利范围第9项之触媒先质组合物,其 中零价镍与多齿亚磷酸盐配位体系被支持于相同 固体支撑物上。
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