| 主权项 |
1.一种棒式离子器,其具有放电电极、接地电极、 高压单元、以及控制单元,且藉由使用电晕放电方 法而去除静电,该棒式离子器包括: 安装在棒上之FND单元,其允许使用者容易地看到棒 资讯,包括: 棒之位址、频率、负载率、警告、以及运转/停止 状态; 按钮,其使得使用者容易控制该棒资讯; 第一空气供应装置,安装于空气注入套管中针之周 围且发出空气;以及 第二空气供应装置,安装于针之周围而具有圆形截 面,且发出空气至针之终端,以便去除附着在针之 终端上之灰尘,其中 该离子器具有流线型区段以致于内部空气可以稳 定地流动。 2.如申请专利范围第1项之棒式离子器,其中 该第一空气供应装置是用于空气通过之圆柱体沟 槽。 3.如申请专利范围第1项之棒式离子器,其中 该第二空气供应装置是椭圆形,且此椭圆形之短轴 小于此针之半径,且此针设置在此椭圆形沟槽之中 央,以及藉由此沟槽固定。 4.如申请专利范围第1项之棒式离子器,其中 此离子产生形式采取电晕放电方法,且输入功率为 50~60赫兹之AC 110~240V,以及频率为1、3、5、8、10、20 、30赫兹之一,负载率为40~60%,剩余电压保持在50V 范围中,如果高电压变低或离子产生数量变少则警 铃会响,臭氧浓度范围为0.004~0.005ppm,空气压力与空 气消耗为CDA、N2(最大5kgf/cm2)、8、3kgf/cm2~210min/l 、5kgf/cm2~350min/l,其主体材料为不可燃之ABS,此覆盖 材料为SUS-304,电极材料为具有纯度为99.99之钨,操 作情况所须温度为0~50℃、以及湿度为35~85% RH。 5.如申请专利范围第1项之棒式离子器,其中 此等槽孔形成于棒之两端,以及此释出离子之多个 孔(尖端)形成于棒之下,以及可以根据此带电体之 位置控制此释出该等离子孔之方向,该等尖端是以 预先设定之间隔分开,且该等尖端是距棒之终端预 先设定之间隔形成。 6.如申请专利范围第1项之棒式离子器,其中 该FND单元包括: FND视窗,其将棒之资讯显示为文字; POS LED以检查是否由棒正常地输出“+"电压; NEG LED以检查是否由棒正常地输出“-"电压; H/VLED检查此内部H/V输出: ICC LED以控制离子电流; DIP开关,使用于设定此离子器; LED用于显示发射与接收之状态; 远端控制信号接收单元; up/down按钮以控制此设定値;以及 CONFIRM按钮以确认此设定値。 7.一种读取监视系统,其读取且监视如申请专利范 围第1至6项中任一项之棒式离子器之资料,包括: 控制器,其连接多个棒式离子器; 多个集线器,其在每个通道串联数个控制器; 设置于现场中之第一个人电脑(PC),其藉由串联该 多个集线器,以监视此系统之所有离子器;以及 设置于现场外之第二个人电脑,其藉由区域网路与 该第一个人电脑连接,其中 该RMS显示模式之萤幕包括:监视画面、资料画面、 以及设定画面,且该显示模式之各萤幕在选单棒上 具有“显示(D)",“登出(X)",“求助(H)",且具有“监 视",“资料检视",“设定",“登出"之按钮,以及该 离子棒为空气流动式离子棒。 8.一种设定如申请专利范围第1至6项中任一项之棒 式离子器之离子棒之方法,其包括以下步骤: 正常地操作此离子棒; 当使用者想要改变位址、频率、或负载率时藉由 按下设定按钮而操作设定模式; 当使用者想要设定位址値时,如果在FND视窗上显示 位址之设定模式,则藉由按下UP按钮或DOWN按钮而设 定位址; 在设定位址后,藉由按下“确认"按钮而确定此所 设定之位址値; 当使用者想要设定频率値时,如果在FND视窗上显示 频率之设定模式,则藉由按下UP按钮或DOWN按钮而设 定频率; 在设定频率后,藉由按下“确认"按钮而固定此所 设定之频率値; 当使用者想要设定负载率时,如果在FND视窗上显示 负载率之设定模式,则藉由按下UP按钮或DOWN按钮而 设定负载率; 在设定负载率后,藉由按下“确认"按钮而固定此 所设定之负载率; 如果想要结束此棒资讯之设定时,按下“完成"按 钮;以及 再度操作此离子棒。 图式简单说明: 第1图说明根据本发明来自棒式离子器尖端之离子 幅射; 第2图说明根据本发明系统结构之例,其读取且监 视棒式离子器之资料; 第3图说明根据本发明RMS系统之显示模式之例(如 果是监视画面); 第4图说明根据本发明RMS系统之显示模式之例(如 果是资料画面); 第5图说明根据本发明RMS系统之显示模式之例(如 果是设定画面); 第6a~6c图分别说明由根据本发明棒式离子器实施 例之顶视图、左侧视图、以及底视图; 第7图说明由根据本发明棒式离子器实施例之照片 ; 第8a图说明根据本发明在棒式离子器之FND单元之 频率设定模式之例; 第8b图说明根据本发明在棒式离子器之FND单元之 负载率设定模式之例; 第8c图说明根据本发明棒式离子器之FND单元之位 址设定模式之例;以及 第9图显示根据本发明棒式离子器之FND单元之实施 例。 |
