发明名称 探针卡用之板、检查装置、光刻制程装置及光刻制程方法
摘要 一光刻制程装置(photo-fabrication apparatus)(1)具有一用以支承一基板(9)之平台(2)、一用以将感光材料供给至上述基板(9)之供给部(3)、一用以平顺地涂平上述所供给之感光材料以形成一材料层之层形成部(4)以及一用以将一空间调整光束发射至上述材料层之发光部(5)。藉由重复一材料层之形成及光的发射,上述光刻制程装置(1)形成多个细微探针用之弹性细微结构,及将上述多个细微结构以细微间隔及具有高位置精确度方式配置在上述基板(9)上之一非常小范围中。上述细微结构经由在稍后制程中之电镀变成弹性探针。
申请公布号 TWI285268 申请公布日期 2007.08.11
申请号 TW093113897 申请日期 2004.05.18
申请人 大斯克琳制造股份有限公司;JSR股份有限公司 发明人 田边隆喜;八代隆郎;小八木康幸;下妻央子
分类号 G01R1/02(2006.01);G01R31/00(2006.01);G03F7/20(2006.01) 主分类号 G01R1/02(2006.01)
代理机构 代理人 赖经臣 台北市松山区南京东路3段346号1112室;宿希成 台北市松山区南京东路3段346号1112室
主权项 1.一种探针卡用之板,用于一电路之电性检查,包括 :一基板;以及 复数个立体结构,每一立体结构具有堆叠于该基板 上之复数个方块,该复数个方块系由感光材料所制 成。 2.如申请专利范围第1项之探针卡用之板,其中每一 该立体结构包括一可挠部,其中该可挠部可弯曲, 以允许一远离于该基板之部分朝该基板移动。 3.如申请专利范围第1项之探针卡用之板,其中每一 该立体结构包括: 复数个突出部,自该基板突出;以及 一连接部,用以连接该复数个突出部之尖端。 4.如申请专利范围第3项之探针卡用之板,其中该复 数个突出部自三个以非线性方式配置于该基板上 之部分突出。 5.如申请专利范围第1项之探针卡用之板,更包括: 一导电膜,用以披覆每一该立体结构。 6.如申请专利范围第5项之探针卡用之板,其中该导 体膜系一由无电镀所形成之金属披覆膜。 7.一种检查装置,用以实施一电路之电性检查,包括 : 一探针卡,其上设有复数个探针; 一压合机构,用以使该等探针朝一受检查之电路按 压;以及 一检查部,用以经由该等探针电性检查该电路,其 中该探针卡包括: 一基板; 复数个立体结构,每一立体结构具有复数个方块, 该复数个方块系由感光材料所制成及堆叠于该基 板上;以及 复数个导电膜,用以个别披覆该等立体结构。 8.一种光刻制程装置,针对用于一电路之电性检查 的探针形成复数个立体结构,包括: 一支承部,用以支承一基板; 一供给部,用以将液态感光材料供给至该基板上; 一涂刷器,用以形成一感光材料层于一现有层上及 经由沿着该基板之一主表面朝一预定方向之相对 于该基板的移动将多余感光材料推入该现有层外 侧之一区域,其中该感光材料系供给至该基板上; 一移动机构,用以使该涂刷器相对于该基板朝该预 定方向移动; 一间距改变机构,用以改变该涂刷器与该支承部间 之间距;以及 一发光部,用以将光发射至一区域,其中该相关于 一经由该涂刷器之移动所形成的感光材料层之区 域系事先决定的。 9.如申请专利范围第8项之光刻制程装置,其中该感 光材料层具有20微米或更小之厚度。 10.如申请专利范围第8项之光刻制程装置,其中该 发光部包括一用以产生一空间调变光束之空间光 调变器。 11.如申请专利范围第8项之光刻制程装置,更包括 一控制部,用以控制发射至一感光材料层上之每一 细微区域的光量。 12.如申请专利范围第11项之光刻制程装置,其中该 控制部包括: 一储存部,用以储存一形成于一板上之立体结构的 形状资料及实质上表示发射至一感光材料层之一 细微区域上的光量与该层之暴露深度间的关系之 表列;以及 一操作部,用以依据该形状资料与该表列以获得针 对在每一感光材料层之每一细微区域所发射之光 量,其中每一感光材料层系堆叠成该立体结构。 13.一种光刻制程方法,针对用于一电路之电性检查 的探针形成复数个立体结构,包括: 一供给步骤,用以将液态感光材料供给至一基板上 ; 一层形成步骤,用以藉由沿着该基板之一主表面相 对于该基板朝一预定方向移动一涂刷器,以形成一 感光材料层于该基板上; 一发光步骤,用以将光发射至一区域,其中相关于 该感光材料层之该区域系事先决定的;以及 一重复步骤,用以重复该供给步骤、该层形成步骤 及该发光步骤复数次,其中 在该层形成步骤(包括该重复步骤)中,该感光材料 层系形成于一现有层上,以及将多余感光材料推入 该现有层外侧之一区域中。 图式简单说明: 图1系显示依据一第一较佳实施例之一光刻制程装 置的结构图; 图2系显示一DMD之图; 图3系显示一照射区域之部分的图; 图4系显示复数个细微结构形成之操作流程的流程 图; 图5A~5D系显示一材料层形成之图; 图6A~6F系显示一细微结构形成之图; 图7A~7F系显示一具有灰阶控制之细微结构形成的 图; 图8A~8D系显示上述细微结构之电镀操作的图; 图9系显示电镀上述细微结构之操作流程的流程图 ; 图10系显示一检查装置及一电路之图; 图11系显示使复数个探针压至上述电路之放大图 式; 图12系显示细微结构之另一范例的图; 图13系显示依据一第二较佳实施例之一光刻制程 装置的结构图; 图14系显示细微结构之再另一范例的图;以及 图15A、15B系显示细微结构之额外另一范例的图。
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