| 发明名称 |
ELABORATION D'UN OXYDE TUNNEL POUR LA FABRICATION D'UNE MEMOIRE NON-VOLATILE EN TECHNOLOGIE FLOTOX A BASSE TEMPERATURE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
FR2881272(B1) |
申请公布日期 |
2007.08.10 |
| 申请号 |
FR20050050232 |
申请日期 |
2005.01.27 |
| 申请人 |
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ETABLISSEMENT PUBLIC A CARACTERE SCIENTIFIQUE TECHNIQUE ET INDUSTRIEL |
发明人 |
FERRANDIS PHILIPPE;MOUREY BRUNO;ANDRE BERNARD |
| 分类号 |
H01L21/285;H01L21/336;H01L21/8247;H01L29/788 |
主分类号 |
H01L21/285 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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