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Un dispositif de mémoire à semiconducteur (100) commandant une tension de programmation (Vpgm) conformément au nombre de cellules à programmer comprend un réseau de cellules de mémoire (110). Un tampon de données d'écriture (120) reçoit des données d'écriture en une unité prédéterminée. Un compteur de cellules de programmation (130) calcule, d'après les données d'écriture, la quantité de données à programmer dans le réseau de cellules de mémoire (110). Un générateur de tension de programmation (140) émet une tension de programmation (Vpgm) devant être appliquée au réseau de cellules de mémoire (110), conformément à la quantité de données à programmer, en même temps, dans le réseau de cellules de mémoire. La tension de programmation est commandée conformément au nombre de cellules de mémoire à programmer.Applications à divers appareils électroniques tels que des cartes à puces intelligentes.
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