| 摘要 |
<p>L'invention concerne une solution de polissage utile pour retirer les matériaux de barrière en présence d'au moins un métal d'interconnexion non ferreux avec une érosion limitée des diélectriques. La solution contient 0 à 20 % en masse d'oxydant, au moins 0,001 % en masse d'inhibiteur pour réduire la vitesse de retrait des métaux d'interconnexion non ferreux, 1 ppm à 4 % en masse d'un sel cationique d'ammonium contenant des groupes organiques formé avec une structure d'ammonium quaternaire, 1 ppm à 4 % en masse de tensioactif anionique, le tensioactif anionique ayant 4 à 25 atomes de carbone et les atomes de carbone totaux dans le sel cationique d'ammonium plus le tensioactif anionique étant 6 à 40 atomes de carbone, 0 à 50 % en masse d'abrasif et le complément d'eau ; et la solution ayant un pH inférieur à 7, ainsi qu'un procédé de polissage de substrats semiconducteurs utilisant cette solution de polissage.</p> |
