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Ein Verfahren zur Herstellung eines CMOS-Bildsensors, welche die Schritte des Vorbereitens eines Halbleitersubstrates, unterteilt in ein Bildpunktmatrixelement und eine logische Schaltungseinheit, umfasst; Bilden einer unteren Verbindung auf dem Halbleitersubstrat; Bilden einer dielektrischen Zwischenschicht auf der gesamten Oberfläche eines Halbleitersubstrates einschließlich der unteren Verbindung; Bilden eines ersten Durchgangsloches durch selektive Entfernung der dielektrischen Zwischenschicht der logischen Schaltungseinheit; Bilden einer oberen Verbindung durch Vergraben eines Metalls im ersten Durchgangsloch und anschließend Planarisieren der Oberfläche des Metalls, das im ersten Durchgangsloch vergraben ist; Bilden einer Schutzschicht auf der ganzen Oberfläche des Halbleitersubstrates einschließlich der oberen Verbindung und Bilden eines zweiten Durchgangsloches durch selektive Entfernung der Schutzschicht, die auf der oberen Verbindung gebildet ist.
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