发明名称 Integrierter Halbleiterspeicher mit Erzeugung von Spannungen
摘要 Ein integrierter Halbleiterspeicher (100) weist einen Taktanschluss (C100) zum Anlegen eines externen Taktsignals (CLK) auf. Lese- und Schreibzugriffe werden synchron zu dem externen Taktsignal (CLK) gesteuert. Ein Frequenzdoktor (160) ist zur Detektion der Frequenz des externen Taktsignals (CLK) mit dem Taktanschluss (C100) verbunden. In Abhängigkeit von der Frequenz des externen Taktsignals erzeugt die Frequenzdetektorschaltung ein Steuersignal (S1), mit dem ein steuerbarer Spannungsgenerator (170) angesteuert wird, der in Abhängigkeit von dem Steuersignal (S1) einen Pegel einer internen Versorgungsspannung (Vint1, Vint2) erzeugt, aus der weitere Steuer- und Versorgungsspannungen (VPP, VBH, VB) abgeleitet werden. Durch den integrierten Halbleiterspeicher wird es ermöglicht, den Pegel von intern erzeugten Spannungen des integrierten Halbleiterspeichers an die Frequenz des externen Taktsignals (CLK) anzupassen.
申请公布号 DE102006004851(A1) 申请公布日期 2007.08.09
申请号 DE200610004851 申请日期 2006.02.02
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 BARTH, ROLAND
分类号 G11C11/4074 主分类号 G11C11/4074
代理机构 代理人
主权项
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