发明名称 |
相变化存储器的垂直侧壁有效引脚结构及其制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种可编程电阻存储器,例如相变化存储器,其包含具有细长侧壁的有效引脚的存储元件。侧壁有效引脚包含可编程电阻材料,例如相变化材料。在本发明的一个目的中,描述形成存储单元的方法,其包含形成堆叠,此堆叠包含第一电极、绝缘层以及第二电极。此第一电极具有主表面,而此主表面具有周缘;此绝缘层覆盖第一电极的主表面的一部份;此第二电极与第一电极垂直分离以及覆盖绝缘层。位于绝缘层及第二电极的侧壁,设置于第一电极的主表面,并与第一电极的主表面有横向偏移。 |
申请公布号 |
CN101013738A |
申请公布日期 |
2007.08.08 |
申请号 |
CN200710007245.7 |
申请日期 |
2007.01.25 |
申请人 |
旺宏电子股份有限公司 |
发明人 |
龙翔澜 |
分类号 |
H01L45/00(2006.01);H01L27/24(2006.01);G11C11/56(2006.01);G11C13/00(2006.01);G11C16/02(2006.01) |
主分类号 |
H01L45/00(2006.01) |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 |
代理人 |
韩宏 |
主权项 |
1.一种存储元件,包含:具有主表面的第一电极,该主表面具有周缘;第二电极,与该第一电极垂直分离,并且具有侧壁,该第二电极的该侧壁的至少一部份位于该主表面上,而与该第一电极的该周缘有横向偏移;绝缘元件,配置于该第一及第二电极之间,该绝缘元件覆盖该第一电极的该主表面的至少一部份,该绝缘元件具有侧壁,该绝缘元件的该侧壁位于该主表面上,而与该第一电极的该周缘具有横向偏移;以及存储元件,包含可编程电阻材料,该存储元件具有的侧壁部分,沿着该绝缘元件的该侧壁延伸,并接触该第二电极的该侧壁,该存储元件的该侧壁部份具有底表面,该底表面与该第一电极的该主表面接触。 |
地址 |
中国台湾新竹科学工业园区 |