晶体管结构制造方法

摘要

本发明与一种用以制造一晶体管结构的方法有关，其包含具有不同集极宽度的至少一第一与第二双极晶体管。本发明特征在于在不同的掺杂区域间的所有接点具有明显的接口。在这个情况下，举例来说，一第一集极区域(2.1)适合用来作为具有高限制频率f_T的一高频率的晶体管，而依第二集极区域(2.2)则适合用来作为具有增加的崩溃电压的一高压晶体管。

主权项

1.一种用以制造一晶体管结构的方法，所述的晶体管结构包含有不同集极宽度C1、C2的至少一第一与第二双极晶体管，提供一半导体基板(1)；在所述的半导体基板(1)上产生具有一第一集极宽度C1的第一双极晶体管的至少一第一集极区域(2.1)与具有一第二集极宽度C2的第二双极晶体管的一第二集极区域(2.2)；将所述的第一双极晶体管的一第一传导类型的一第一掩埋层(5.1)的至少一第一区(5.1.1)与所述的第二双极晶体管的一第一或一第二传导类型的一第二掩埋层(5.2)的至少一第一区(5.2.1)引入所述的半导体基板(1)中；以及产生至少一绝缘区域(4)，以使至少所述的第一集极区域(2.1)和第二集极区域(2.2)相互绝缘，其中产生一第一籽晶层(9)，使其覆盖至少所述第一掩埋层(5.1)的第一区(5.1.1)和所述第二掩埋层(5.2)的第一区(5.2.1)的整个面积；在所述的第一籽晶(9)之内，产生第一传导类型的第一掩埋层(5.1)的至少一第二区(5.1.2)，所述第一掩埋层(5.1)的第二区(5.1.2)紧接于所述的第一掩埋层(5.1)的第一区(5.1.1)；产生一第二籽晶层(10)，使其覆盖至少所述的第一籽晶层(9)以及所述的第一掩埋层(5.1)的第二区(5.1.2)的整个面积；以及所述的第一掩埋层(5.1)的第二区(5.1.2)紧接于所述的第一集极区域(2.1)，而所述的第二掩埋层(5.2)的第一区(5.2.1)紧接于所述的第二集极区域(2.2)。