通过对相对于沟道区域的微结构的自觉偏移提高多晶薄膜晶体管器件之间均匀性的方法

摘要

制作一种有均匀微结构的多晶硅薄膜晶体管的方法。一种示例的方法要求接纳一个有晶粒结构的多晶硅薄膜，该结构至少在一个第一方向上是周期性的，并且在接纳的薄膜上放置一个或多个薄膜晶体管的至少一些部分(410，420)，因此它们相对于该薄膜的周期性结构倾斜。

主权项

1.一种制作一种包括两个或多个有基本均匀微结构的薄膜晶体管的器件的方法，其特征在于，包括步骤：(a)接纳一个有一个晶粒结构的多晶硅薄膜，该结构至少在一个第一方向上是周期性的；和(b)在所述接纳的薄膜上放置两个或多个薄膜晶体管中的至少一些部分，所述两个或多个薄膜晶体管中的至少一些部分相对于所述薄膜的周期结构倾斜一个角度θ，θ在5°至10°之间，因此在所述部分的任何一部分中长晶粒边界数基本保持均匀。