| 发明名称 | 薄膜制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及制备薄膜的方法。一种实施例方法包括通过使包含锗(Ge)的第一前体、包含锑(Sb)的第二前体和包含碲(Te)的第三前体在反应室中发生化学反应，在衬底表面上形成GeSbTe薄膜，及用氢等离子体处理该GeSbTe薄膜的表面。另一种实施例方法包括将至少一种前体注入到反应室中，及利用化学气相沉积法，将所述至少一种前体沉积在反应室内的衬底上，以便形成薄膜。 | ||
| 申请公布号 | CN101013669A | 申请公布日期 | 2007.08.08 |
| 申请号 | CN200610008945.3 | 申请日期 | 2006.02.05 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 李正贤;李昌洙;姜闰浩 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01);C23C16/00(2006.01);C23C16/30(2006.01);C23C16/44(2006.01);C23C16/56(2006.01) | 主分类号 | H01L21/205(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 张平元;赵仁临 |
| 主权项 | 1.一种制备薄膜的方法，包括：通过使包含锗(Ge)的第一前体、包含锑(Sb)的第二前体和包含碲(Te)的第三前体在反应室中发生化学反应，在衬底表面上形成GeSbTe薄膜；及用氢等离子体处理该GeSbTe薄膜的表面。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||