用于限制浮动栅极之间的交叉耦合的屏蔽板

摘要

本发明揭示一种存储器系统，其包括一组非易失性存储元件。每一个所述非易失性存储元件都包括处于一衬底中一沟道的相对侧的源极/漏极区，和所述沟道上方的一浮动栅极堆叠。所述存储器系统还包括一组屏蔽板，其位于邻近的浮动栅极堆叠之间并电连接到所述源极/漏极区以减少邻近的浮动栅极之间的耦合。所述屏蔽板选择性地生长在存储器的活动区域上而不生长在非活动区域上。在一个实施例中，所述屏蔽板是位于所述源极/漏极区上方的外延生长硅。

主权项

1.一种非易失性存储器系统，其包含：一组浮动栅极堆叠；和一组屏蔽物，每一屏蔽物是一位于两个邻近的浮动栅极堆叠之间的外延层。