薄膜晶体管及半导体元件的制作方法

摘要

本发明公开了一种薄膜晶体管及半导体元件的制作方法。首先，在基板上形成图案化多晶硅层与用其覆盖的栅极介电层。在栅极介电层上依序形成第一、第二栅极材料层及牺牲层。在牺牲层上形成图案化光刻胶层。以图案化光刻胶层为掩模，对牺牲层进行等向性蚀刻而形成图案化牺牲层，且对第一、第二栅极材料层进行非等向性蚀刻，及对图案化多晶硅层进行掺杂以形成源极/漏极区。在移除图案化光刻胶层之后，以图案化牺牲层为掩模，对剩余的第一、第二栅极材料层进行非等向性蚀刻，并再对图案化多晶硅层进行掺杂以形成浅掺杂源极/漏极区。之后，移除图案化牺牲层。此方法可减少掩模的使用数量。

主权项

1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：在一基板上形成一图案化多晶硅层；在该基板与该图案化多晶硅层上形成一栅极介电层；在该栅极介电层上依序形成一第一栅极材料层、一第二栅极材料层与一牺牲层；在该牺牲层上形成一图案化光刻胶层；以该图案化光刻胶层为掩模对该牺牲层进行一等向性蚀刻工序，而形成一图案化牺牲层，使该图案化牺牲层略小于该图案化光刻胶层；以该图案化光刻胶层为掩模对该第二栅极材料层与该第一栅极材料层进行一第一非等向性蚀刻工序；以该图案化光刻胶层为掩模，进行一第一掺杂工序，以于该图案化多晶硅层的两侧形成源极/漏极区，而该源极漏极区之间为一沟道区；移除该图案化光刻胶层；以该图案化牺牲层为掩模对剩余的该第二栅极材料层与该第一栅极材料层进行一第二非等向性蚀刻工序；以该图案化牺牲层为掩模，进行一第二掺杂工序，以在该图案化多晶硅层中形成浅掺杂源极/漏极区，而该浅掺杂源极/漏极区分别位于该沟道区与该源极/漏极区之间；以及移除该图案化牺牲层。