| 发明名称 | 控制半导体激光器的光功率和消光比 | ||
| 摘要 | 在此公开了对于半导体激光器实现基本恒定的光功率和/或消光比的方法、装置和系统。一方面，光发送机的微控制器可以至少部分地基于由半导体激光器发出的光的第一测量的光功率和预定的目标光功率的比较来调整提供给半导体激光器的电流。然后，微控制器可以通过利用第一测量的光功率和在微控制器调整电流之后测量的第二光功率来计算公式，从而确定能够给予半导体激光器基本恒定的消光比的电流。 | ||
| 申请公布号 | CN101013924A | 申请公布日期 | 2007.08.08 |
| 申请号 | CN200610064490.7 | 申请日期 | 2006.11.21 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | F·王;C·－C·刘;H·程;L·徐 |
| 分类号 | H04B10/17(2006.01);H04B10/08(2006.01);H04B10/155(2006.01);H01S5/0683(2006.01);H01S5/042(2006.01) | 主分类号 | H04B10/17(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 李亚非;王勇 |
| 主权项 | 1、一种方法，包括：测量由半导体激光器发出的第一光功率；至少部分地基于测量的第一光功率和预定的目标光功率的比较，调整提供给半导体激光器的电流；在所述调整之后，测量由半导体激光器发出的第二光功率；通过利用第一和第二光功率来计算公式，从而确定能够给予半导体激光器基本恒定的消光比的电流。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||