发明名称 具静电放电防护耐受能力的高压组件结构
摘要 本发明是关于一种具静电放电防护耐受能力的高压组件结构,是适用于一静电放电防护电路中,此ESD防护组件是包括沟道区域、漏极区域及源极区域,其主要特征是在于漏极区域的宽度是沿一纵轴方向而变化,使每一漏极区域的侧边边缘至对应的沟道区域侧边呈不等距离,使漏极区域外围形成多个放电转角(corner),以增进静电放电导通效能及增进导通的均匀度。
申请公布号 CN1331226C 申请公布日期 2007.08.08
申请号 CN200410000324.1 申请日期 2004.01.07
申请人 世界先进积体电路股份有限公司 发明人 柯明道;林昆贤;林耿立
分类号 H01L23/60(2006.01);H01L29/78(2006.01) 主分类号 H01L23/60(2006.01)
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 代理人 王一斌
主权项 1、一静电放电防护组件结构,包括:一基板;一沟道区域,形成于该基板表面的既定位置上,该沟道区域具有一第一侧及一第二侧;一源极区域,邻接于该第一侧;及一漏极区域,邻接于该第二侧,是包括一重掺杂区域及形成于该重掺杂区域下方的一轻掺杂阱区,其中,该重掺杂区域的宽度是沿一纵轴方向而变化,使该重掺杂区域的一侧边至该沟道区域的该第二侧呈不等距离。
地址 台湾省新竹科学工业园区