发明名称 |
具静电放电防护耐受能力的高压组件结构 |
摘要 |
本发明是关于一种具静电放电防护耐受能力的高压组件结构,是适用于一静电放电防护电路中,此ESD防护组件是包括沟道区域、漏极区域及源极区域,其主要特征是在于漏极区域的宽度是沿一纵轴方向而变化,使每一漏极区域的侧边边缘至对应的沟道区域侧边呈不等距离,使漏极区域外围形成多个放电转角(corner),以增进静电放电导通效能及增进导通的均匀度。 |
申请公布号 |
CN1331226C |
申请公布日期 |
2007.08.08 |
申请号 |
CN200410000324.1 |
申请日期 |
2004.01.07 |
申请人 |
世界先进积体电路股份有限公司 |
发明人 |
柯明道;林昆贤;林耿立 |
分类号 |
H01L23/60(2006.01);H01L29/78(2006.01) |
主分类号 |
H01L23/60(2006.01) |
代理机构 |
北京三友知识产权代理有限公司 |
代理人 |
王一斌 |
主权项 |
1、一静电放电防护组件结构,包括:一基板;一沟道区域,形成于该基板表面的既定位置上,该沟道区域具有一第一侧及一第二侧;一源极区域,邻接于该第一侧;及一漏极区域,邻接于该第二侧,是包括一重掺杂区域及形成于该重掺杂区域下方的一轻掺杂阱区,其中,该重掺杂区域的宽度是沿一纵轴方向而变化,使该重掺杂区域的一侧边至该沟道区域的该第二侧呈不等距离。 |
地址 |
台湾省新竹科学工业园区 |