| 发明名称 | 磁记录介质、磁存储装置和制造磁记录介质的方法 | ||
| 摘要 | 一种制造磁记录介质的方法，该方法包括在基底上形成底层，然后在底层上依次形成第一磁性层、非磁性耦合层和第二磁性层。第一和第二磁性层通过非磁性耦合层交换耦合，并且在磁记录介质上没有施加外部磁场的状态下具有反平行的磁化。底层在包含氮气的气氛中由具有bcc晶体结构的Cr或Cr合金制成。 | ||
| 申请公布号 | CN1331116C | 申请公布日期 | 2007.08.08 |
| 申请号 | CN200510007029.3 | 申请日期 | 2005.02.02 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 村尾玲子;铃木政也 |
| 分类号 | G11B5/84(2006.01);G11B5/66(2006.01) | 主分类号 | G11B5/84(2006.01) |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 丁香兰 |
| 主权项 | 1、一种制造磁记录介质的方法，该方法包括以下步骤：(a)在基底上形成第一底层；和(b)在第一底层上依次形成第一磁性层、非磁性耦合层和第二磁性层，所述第一和第二磁性层通过非磁性耦合层交换耦合，并且在磁记录介质上没有施加外部磁场的状态下具有反平行的磁化，其特征在于，所述步骤(a)通过添加氮气的量在0.01体积％到0.50体积％的范围内而在包含氮气的气氛中用具有bcc晶体结构的Cr或Cr合金形成第一底层。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县川崎市 | ||