半导体晶片和半导体器件

摘要

本实用新型涉及一种半导体晶片，其上形成多个IC区域，该半导体晶片被分割为包含IC的单个芯片，其中在硅衬底上依次形成布线层和绝缘层。为了降低IC和划片线之间的高度差，形成平面绝缘层以覆盖关于IC、密封环和划片线的整个表面。为了避免在IC中出现断裂和故障，以阶梯状的方式形成开口从而部分地蚀刻绝缘层，使得每个所述开口的壁均以20°至80°的指定角度倾斜。例如，形成相对于薄膜元件部分的第一开口，和形成相对于外部端子连接焊盘的第二开口。本实用新型还涉及半导体器件。

主权项

1.一种半导体器件，其特征在于，在该半导体器件中，在形成于半导体衬底上的IC区域的布线层上经由绝缘层形成有薄膜元件，其中形成有开口以暴露一部分所述布线层，并且形成有与开口相连接的第二布线层以建立所述布线层和所述薄膜元件之间的电连接，其中所述开口形成为阶梯状的方式使得所述开口的壁从其底部到其上端逐渐扩展。