| 发明名称 | 使用隔离阱的MOS变容二极管 | ||
| 摘要 | 本发明提供了具有高可调谐性以及高品质因数Q的变容二极管(22)，以及制造变容二极管(22)的方法。本发明的方法可以集成到传统的CMOS加工流程中，或者可以集成到传统的BiCMOS加工流程中。该方法包括：提供包括第一导电类型的半导体衬底(12)的结构，以及，可选的，位于衬底(12)的上部区域(11)下方的第二导电类型的子集电极(14)或者隔离阱(也就是掺杂区)，所述第一导电类型不同于所述第二导电类型。接下来，在所述衬底(12)的所述上部区域(11)中形成多个隔离区(16)，然后在所述衬底(12)的所述上部区域(11)中形成阱区。在某些情况下，在本发明的方法的此时形成掺杂区(14)。所述阱区包括第二导电类型的外阱区(20A和20C)和第一导电类型的内阱区(20B)。所述阱区的每一个阱在上表面处由隔离区(16)分隔开。然后在所述内阱区(20B)上方形成至少具有第一导电类型的栅极导体(26)的场效应晶体管。 | ||
| 申请公布号 | CN101015058A | 申请公布日期 | 2007.08.08 |
| 申请号 | CN200580028829.1 | 申请日期 | 2005.08.05 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 道格拉斯·D.·库尔伯格;道格拉斯·B.·赫施伯格;罗伯特·M.·拉塞尔 |
| 分类号 | H01L27/08(2006.01);H01L29/93(2006.01) | 主分类号 | H01L27/08(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 李春晖 |
| 主权项 | 1.一种变容二极管结构，包括：第一导电类型的半导体衬底，该衬底包括位于所述衬底的上部区域的下方的第二导电类型的掺杂区，该第一导电类型与所述第二导电类型不同；位于所述衬底的所述上部区域中的阱区，其中，该阱区包括所述第二导电类型的外阱区以及所述第一导电类型的内阱区，所述阱区的每一个阱在上表面处由隔离区分开；以及至少具有位于所述内阱区上方的所述第一导电类型的栅极导体的场效应晶体管。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||