| 发明名称 | n型半导体金刚石的制造方法及半导体金刚石 | ||
| 摘要 | 加工金刚石{100}面单晶基板(10)，形成金刚石{111}面后，一边在金刚石{111}面上掺杂n型掺杂剂一边使金刚石外延生长，形成n型金刚石外延层(20)。而且通过将上述方式得到的n型半导体金刚石和p型半导体金刚石、和未掺杂金刚石加以组合，采用p型半导体金刚石{100}面单晶基板等，可以得到pn结型、pnp结型、npn结型及pin结型半导体金刚石。 | ||
| 申请公布号 | CN1331235C | 申请公布日期 | 2007.08.08 |
| 申请号 | CN03814068.3 | 申请日期 | 2003.06.18 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 难波晓彦;今井贵浩;西林良树 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01);C30B29/04(2006.01) | 主分类号 | H01L27/12(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 朱丹 |
| 主权项 | 1.一种n型半导体金刚石的制造方法，其特征在于，包括：加工表面已被加工成{100}面的金刚石{100}面单晶基板而在所述表面上形成金刚石{111}面的工序；和通过一边在所述金刚石{111}面上掺杂n型掺杂剂一边使金刚石外延生长来形成n型金刚石外延层的工序。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||