基于P型金属氧化物半导体管结构的微电场传感器

摘要

本发明公开了一种用于采集电场信号的基于P型金属氧化物半导体管结构的微电场传感器，包括n型衬底，在衬底上设有共平面的两个重掺杂的P型接触区，在重掺杂的P型接触区上为金属引线，在这两个重掺杂的P型接触区之间设有P型沟道且分别与之相连，在P型接触区及P型沟道的表面设有SiO₂层，本发明具有如下优点：利用掺杂半导体中电荷的漂移原理，静态地感应电场，从而提高了电场检测的可靠性；利用高宽长比的沟道以及在沟道上加微小的电流，提高了电场检测的分辨率。

主权项

1、一种用于采集电场信号的基于P型金属氧化物半导体管结构的微电场传感器，包括n型衬底(1)，其特征在于在衬底(1)上设有共平面的两个重掺杂的P型接触区(3)，在重掺杂的P型接触区(3)上为金属引线(5)，在这两个重掺杂的P型接触区之间设有P型沟道(2)且分别与之相连，在P型接触区(3)及P型沟道(2)的表面设有SiO2层(4)。