| 发明名称 | 形成具有高沟道密度的半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 一种制造半导体器件(10)的方法，通过如下步骤进行：在衬底上形成第一介电层(140)；腐蚀穿透第一介电层以形成沟槽(150)，在沟槽侧壁(160)上具有沟道区(135)；侧向去除相邻于沟道上方的沟槽侧壁的部分第一介电层，以确定半导体器件的源区(280)。 | ||
| 申请公布号 | CN1331201C | 申请公布日期 | 2007.08.08 |
| 申请号 | CN03149404.8 | 申请日期 | 2003.06.20 |
| 申请人 | 半导体元件工业有限责任公司 | 发明人 | 普拉塞德·文卡特拉曼 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L21/334(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体器件的方法，其特征在于包括下列步骤：在衬底上形成第一介电层；在第一介电层上形成第二介电层；在第一和第二介电层中形成开口；在暴露于所述开口的衬底中形成沟槽，其中沟槽具有侧壁；侧向去除相邻于侧壁的第一介电层的一部分，以在衬底上留下掩膜部分；去除所述第二介电层的至少一部分以暴露所述掩膜部分；以及通过使用掩膜部分控制对衬底的掺杂剂注入来在衬底上形成掺杂区域。 | ||
| 地址 | 美国亚利桑那 | ||