发明名称 双向绝缘栅场效应管
摘要 MOSFET是一种直流电子元件,只能用于直流电环境,这限制了MOSFET的应用领域。现在一件双向MOSFET元件中设置有一只MOSFET和一只二极管整流全桥,MOSFET的D极与二极管整流全桥的正极连接、MOSFET的S极与二极管整流全桥的负极连接组成环状串联体。本元件可以用相应半导体芯片组装成,或用半导体材料分层结合、掺杂而成。本双向MOSFET解决了单向MOSFET不能用于交流电路的问题,元件结构相对简单,成本可以降低。
申请公布号 CN101013690A 申请公布日期 2007.08.08
申请号 CN200710077629.6 申请日期 2007.02.01
申请人 刘华友 发明人 刘华友
分类号 H01L25/18(2006.01);H01L23/488(2006.01);H01L27/06(2006.01);H01L23/522(2006.01);H02M7/02(2006.01) 主分类号 H01L25/18(2006.01)
代理机构 代理人
主权项 1、一种双向绝缘栅场效应管(以下简称双向MOSFET),由MOSFET等电气单元组成,其特征是:在一件双向MOSFET中设置有一只MOSFET与一只二极管整流全桥(或由4只二极管组合成整流全桥),这只MOSFET的D极与二极管整流全桥的正极连接、MOSFET的S极与二极管整流全桥的负极连接组成环状串联体;二极管整流全桥的两个交流输入端各用一根电极引出元件外,MOSFET的G极用一根电极引出元件外。
地址 550018贵州省贵阳市乌当区新添寨洪济路38号附7号