发明名称 |
双向绝缘栅场效应管 |
摘要 |
MOSFET是一种直流电子元件,只能用于直流电环境,这限制了MOSFET的应用领域。现在一件双向MOSFET元件中设置有一只MOSFET和一只二极管整流全桥,MOSFET的D极与二极管整流全桥的正极连接、MOSFET的S极与二极管整流全桥的负极连接组成环状串联体。本元件可以用相应半导体芯片组装成,或用半导体材料分层结合、掺杂而成。本双向MOSFET解决了单向MOSFET不能用于交流电路的问题,元件结构相对简单,成本可以降低。 |
申请公布号 |
CN101013690A |
申请公布日期 |
2007.08.08 |
申请号 |
CN200710077629.6 |
申请日期 |
2007.02.01 |
申请人 |
刘华友 |
发明人 |
刘华友 |
分类号 |
H01L25/18(2006.01);H01L23/488(2006.01);H01L27/06(2006.01);H01L23/522(2006.01);H02M7/02(2006.01) |
主分类号 |
H01L25/18(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
1、一种双向绝缘栅场效应管(以下简称双向MOSFET),由MOSFET等电气单元组成,其特征是:在一件双向MOSFET中设置有一只MOSFET与一只二极管整流全桥(或由4只二极管组合成整流全桥),这只MOSFET的D极与二极管整流全桥的正极连接、MOSFET的S极与二极管整流全桥的负极连接组成环状串联体;二极管整流全桥的两个交流输入端各用一根电极引出元件外,MOSFET的G极用一根电极引出元件外。 |
地址 |
550018贵州省贵阳市乌当区新添寨洪济路38号附7号 |