制造薄膜集成电路的方法

摘要

本发明的目的是防止薄膜集成电路在转移到基底材料的工艺期间脱落。通过本发明的制造方法，在衬底表面上选择性地形成分离层；由此，形成提供分离层的第一区和不提供分离层的第二区。在分离层之上形成薄膜集成电路。然后，形成用于暴露分离层的开口部分，将蚀刻剂引入到开口部分中以去除分离层。因此，在提供有分离层的区域中产生间隔，而在没有分离层的区域中不产生间隔。因此，通过之后提供不产生间隔的区域，即使在去除了分离层之后也能防止薄膜集成电路脱落。

主权项

1.一种制造薄膜集成电路的方法，包括以下步骤：在第一区和第二区中在具有绝缘表面的衬底之上形成分离层；去除第二区中的分离层；在第一区和第二区中形成绝缘膜；在第一区中在绝缘膜之上形成多个元件和用作天线的导电层；在第一区中形成暴露分离层的开口部分；以及通过将蚀刻剂引入开口部分来去除分离层。